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InP基HEMT器件中二维电子气浓度及分布与沟道层厚度关系的理论分析

李东临 曾一平

引用本文:
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InP基HEMT器件中二维电子气浓度及分布与沟道层厚度关系的理论分析

李东临, 曾一平

Theoretical analysis about the influence of channel layer thickness on the 2D electron gas and its distribution in InP-based high-electron-mobility transistors

Li Dong-Lin, Zeng Yi-Ping
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出版历程
  • 收稿日期:  2005-11-25
  • 修回日期:  2006-02-14
  • 刊出日期:  2006-07-20

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