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用于紫外探测器DBR结构的高质量AlGaN材料MOCVD生长及其特性研究

谢自力 张 荣 修向前 韩 平 刘 斌 陈 琳 俞慧强 江若琏 施 毅 郑有炓

用于紫外探测器DBR结构的高质量AlGaN材料MOCVD生长及其特性研究

谢自力, 张 荣, 修向前, 韩 平, 刘 斌, 陈 琳, 俞慧强, 江若琏, 施 毅, 郑有炓
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-07-10
  • 修回日期:  2007-03-24
  • 刊出日期:  2007-11-20

用于紫外探测器DBR结构的高质量AlGaN材料MOCVD生长及其特性研究

  • 1. 江苏省光电功能材料重点实验室,南京大学物理系,南京 210093
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展规划(973)(批准号:2006CB6049),国家自然科学基金(批准号:60390072,60476030,60421003,60676057), 教育部重大项目(批准号:10416),高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20050284004)和江苏省自然科学基金(批准号:BK2005210,BK2006126)资助的课题

摘要: 利用MOCVD方法在(0001)取向的蓝宝石衬底上实现了不同工艺条件下的高质量AlGaN材料的制备.得到了无裂纹的全组分AlxGa1-xN(0x<1)薄膜.通过XRD,SEM,AFM等测量分析方法系统研究了生长工艺参数对材料的结构质量、组分、厚度和表面形貌的影响.分析了不同生长工艺对AlGaN材料特性的影响.研制的高质量AlGaN材料在紫外探测器的DBR结构应用中得到比较好的特性.

English Abstract

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