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高击穿电压的AlGaN/GaN FP-HEMT研究与分析

郭亮良 冯 倩 郝 跃 杨 燕

高击穿电压的AlGaN/GaN FP-HEMT研究与分析

郭亮良, 冯 倩, 郝 跃, 杨 燕
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-08-17
  • 修回日期:  2006-10-18
  • 刊出日期:  2007-05-20

高击穿电压的AlGaN/GaN FP-HEMT研究与分析

  • 1. 西安电子科技大学微电子研究所,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071
    基金项目: 

    国家重大基础研究发展计划(973)(批准号:51327020301,2002CB311904)和西安应用材料创新基金(批准号:XA-AM-200616)资助的课题.

摘要: 就蓝宝石衬底上制备的AlGaN/GaN场板(field plate)HEMT器件、常规HEMT器件性能进行了分析对比.结果证明两种结构的器件直流参数变化不大,但是采用场板后器件的击穿电压从52V提高到了142V.在此基础上利用Sivaco软件对两种器件进行模拟仿真,深入分析了FP对器件击穿电压的影响.

English Abstract

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