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高分子发光二极管载流子注入过程研究

黄文波 彭俊彪

高分子发光二极管载流子注入过程研究

黄文波, 彭俊彪
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-10-09
  • 修回日期:  2006-11-06
  • 刊出日期:  2007-05-20

高分子发光二极管载流子注入过程研究

  • 1. (1)华南理工大学高分子光电材料及器件研究所,广州 510640; (2)华南理工大学高分子光电材料及器件研究所,广州 510640;华南理工大学特种功能材料及其制备新技术教育部重点实验室,广州 510640
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:90201031,50573024),教育部科学技术研究重点项目(批准号:104208)和国家重点基础研究发展计划(973)项目(批准号:2002CB61340205)资助的课题.

摘要: 采用交流阻抗谱,电容-电压,电容-频率等实验方法,研究了共轭高分子MEH-PPV(poly[2-methoxy,5-(2-ethylhexoxy)-1,4-phenylene vinylene])发光二极管的载流子注入过程.对于结构为ITO/PEDOT/MEH-PPV/Ba/Al的发光器件,实验结果表明,电极界面是欧姆接触的,载流子的注入是非平衡的,器件薄膜中存在陷阱容易俘获注入电荷,形成空间电荷区,陷阱密度约为3.75×1016cm-3.

English Abstract

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