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半圆形容器等离子体源离子注入过程中离子动力学的两维PIC计算机模拟

王德真 王艳辉 刘成森 刘天伟

半圆形容器等离子体源离子注入过程中离子动力学的两维PIC计算机模拟

王德真, 王艳辉, 刘成森, 刘天伟
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-07-23
  • 修回日期:  2008-04-14
  • 刊出日期:  2008-10-20

半圆形容器等离子体源离子注入过程中离子动力学的两维PIC计算机模拟

  • 1. (1)大连理工大学物理与光电工程学院,三束材料改性国家重点实验室,大连 116023; (2)辽宁师范大学物理与电子技术学院,大连 116029; (3)中国工程物理研究院表面物理与化学国家重点实验室,绵阳 621900
    基金项目: 

    表面物理与化学国家重点实验室基金(批准号:90000460200606)资助的课题.

摘要: 利用两维particle-in-cell方法研究了半圆形容器表面等离子体源离子注入过程中鞘层的时空演化规律. 详尽考察了鞘层内随时间变化的电势分布和离子密度分布规律,离子在鞘层中的运动轨迹和运动状态,得到了半圆容器内、外表面和边缘平面上各点离子注入剂量分布规律,获得了工件表面各点注入离子的入射角分布规律. 研究结果揭示了半圆容器边缘附近鞘层中离子聚焦现象,以及离子聚焦现象导致工件表面注入剂量分布和注入角度分布存在很大不均匀的基本物理规律.

English Abstract

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