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微晶硅薄膜沉积过程中的等离子体光学与电学特性研究

张发荣 张晓丹 赵 颖 赵 静 Amanatides E. Mataras D.

微晶硅薄膜沉积过程中的等离子体光学与电学特性研究

张发荣, 张晓丹, 赵 颖, 赵 静, Amanatides E., Mataras D.
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-08-17
  • 修回日期:  2007-09-18
  • 刊出日期:  2008-05-28

微晶硅薄膜沉积过程中的等离子体光学与电学特性研究

  • 1. (1)南开大学光电子薄膜器件与技术研究所;天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室;光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学),天津 300071; (2)天津新华职工大学,天津 300040; (3)希腊帕特雷大学等离子体技术实验室,帕特雷,希腊 26500
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60506003),天津市自然科学基金(批准号:05YFJMJC01600),南开大学博士启动基金(批准号:J02031),国家重点基础研究发展规划项目(批准号:2006CB202602和2006CB202603),科技部国际合作重点项目(批准号:2006DFA62390)和教育部新世纪人才计划资助的课题.

摘要: 采用空间分辨光发射谱和傅里叶变换功率阻抗分析仪研究了衬底偏压和辉光功率对微晶硅薄膜沉积过程中的等离子体光学与电学特性的影响.研究表明:在交流偏压(AC)、悬浮(floating)、负直流加交流(-DC+AC)偏压下,Hα发射强度空间分布规律相似,平均鞘层长度相等;正直流加交流(+DC+AC)偏压和接地(grounded)时Hα发射强度显著增强,并存在双峰(double layers)现象.增大功率,Hα发射强度也随着增大,并在17W与22W之间产生跳变.电学测试发现功率增大,等离子体电阻降低,电抗降低,电

English Abstract

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