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溅射制备纳米晶GaN∶Er薄膜的室温发光特性

潘孝军 张振兴 王 涛 李 晖 谢二庆

溅射制备纳米晶GaN∶Er薄膜的室温发光特性

潘孝军, 张振兴, 王 涛, 李 晖, 谢二庆
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-09-27
  • 修回日期:  2007-11-18
  • 刊出日期:  2008-03-05

溅射制备纳米晶GaN∶Er薄膜的室温发光特性

  • 1. 兰州大学物理科学与技术学院,兰州 730000
    基金项目: 

    教育部新世纪优秀人才支持计划(批准号:NCET-04-0975)资助的课题.

摘要: 利用直流磁控共溅射方法制备了GaN:Er薄膜.X射线衍射结果显示薄膜为纳米多晶结构,根据谢乐公式,计算得到了GaN薄膜晶粒的平均大小为58nm;透射电子显微镜结果显示为非晶基质中镶嵌了GaN纳米颗粒,尺寸在6—8nm之间;紫外可见谱结果表明在500—700nm的可见光范围内,薄膜的平均透过率大于80%,在紫外可见谱基础上,利用Tauc公式计算得到了纳米晶GaN薄膜的光学带隙为322eV;最后,测量了GaN:Er薄膜的室温光致发光谱,获得了Er3+离子在554nm处的强烈绿光发射.

English Abstract

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