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Al2O3绝缘栅AlGaN/GaN MOS-HEMT器件温度特性研究

刘林杰 岳远征 张进城 马晓华 董作典 郝跃

Al2O3绝缘栅AlGaN/GaN MOS-HEMT器件温度特性研究

刘林杰, 岳远征, 张进城, 马晓华, 董作典, 郝跃
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-05-19
  • 修回日期:  2008-07-14
  • 刊出日期:  2009-01-20

Al2O3绝缘栅AlGaN/GaN MOS-HEMT器件温度特性研究

  • 1. 西安电子科技大学,宽禁带半导体材料与器件重点实验室,西安 710071
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 60736033, 60676048)资助的课题.

摘要: 采用原子层淀积(ALD)实现了10nm Al2O3为栅介质的高性能AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(MOS-HEMT). 通过对MOS-HEMT器件和传统MES-HEMT器件室温特性的对比,验证了新型MOS-HEMT器件饱和电流和泄漏电流的优势. 通过分析MOS-HEMT器件在30—180℃之间特性的变化规律,与国内报道的传统MES-HEMT器件随温度退化程度对比,得出了器件饱和电流和跨导的退化主要是由于输运特性退化造成的,证明栅介质减小了引

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