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MBE生长PbSe/PbSrSe量子阱结构的光致中红外发光的研究

蔡春锋 吴惠桢 斯剑霄 孙艳 戴宁

MBE生长PbSe/PbSrSe量子阱结构的光致中红外发光的研究

蔡春锋, 吴惠桢, 斯剑霄, 孙艳, 戴宁
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-10-01
  • 修回日期:  2008-11-09
  • 刊出日期:  2009-05-20

MBE生长PbSe/PbSrSe量子阱结构的光致中红外发光的研究

  • 1. (1)浙江大学物理系,现代光学国家重点实验室,杭州 310027; (2)中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海 200083
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10434090)和教育部博士点基金(批准号:20060335035)资助的课题.

摘要: 研究了分子束外延技术生长的PbSe/PbSrSe多量子阱结构的中红外光致荧光现象.高分辨率X射线衍射(HRXRD)谱观察到了多量子阱所特有的多级卫星峰,表明量子阱界面陡峭.变温光致荧光谱测量显示量子阱结构对电子空穴有强的限制效应,在相同温度下,量子阱样品的荧光峰峰位相对PbSe体材料有一定的蓝移.发现量子阱样品的荧光强度同温度有关,温度从150 K上升到230 K时,荧光强度逐渐增大,温度继续升高,荧光强度缓慢下降,但在高于室温时,仍能观察到较强的荧光发射,这说明该量子阱结构材料具有应用于室温工作的中红外

English Abstract

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