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强流脉冲电子束辐照诱发多晶纯铝中的空位缺陷簇结构

关庆丰 程笃庆 邱冬华 朱健 王雪涛 程秀围

强流脉冲电子束辐照诱发多晶纯铝中的空位缺陷簇结构

关庆丰, 程笃庆, 邱冬华, 朱健, 王雪涛, 程秀围
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-10-22
  • 修回日期:  2008-12-10
  • 刊出日期:  2009-07-20

强流脉冲电子束辐照诱发多晶纯铝中的空位缺陷簇结构

  • 1. 江苏大学材料科学与工程学院,镇江 212013
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:50671042)和江苏大学科技创新团队及高级人才基金(07JDG032)资助的课题.

摘要: 利用强流脉冲电子束(HCPEB)技术对多晶纯铝样品进行辐照,采用透射电子显微镜详细分析了辐照诱发的空位簇缺陷.HCPEP辐照后,在辐照表层内形成了大量的四方形空位胞,其间包含位错圈和堆垛层错四面体(SFT)等类型的空位簇缺陷.1次辐照后,空位胞内产生空位型位错圈,5次辐照则主要产生SFT;10次辐照后,空位胞内产生的空位簇缺陷主要是位错圈,局部区域也观察到了SFT缺陷,在产生SFT的附近区域具有很低的位错密度或者几乎无位错出现.HCPEB辐照产生的瞬间加热和冷却诱发了幅值极大且应变速率极高的应力,这一因素

English Abstract

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