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器件参数对GaN基n+-GaN/i-Alx Ga1-xN/n+-GaN结构紫外和红外双色探测器中紫外响应的影响

邓懿 赵德刚 吴亮亮 刘宗顺 朱建军 江德生 张书明 梁骏吾

器件参数对GaN基n+-GaN/i-Alx Ga1-xN/n+-GaN结构紫外和红外双色探测器中紫外响应的影响

邓懿, 赵德刚, 吴亮亮, 刘宗顺, 朱建军, 江德生, 张书明, 梁骏吾
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-03-29
  • 修回日期:  2010-07-08
  • 刊出日期:  2010-12-15

器件参数对GaN基n+-GaN/i-Alx Ga1-xN/n+-GaN结构紫外和红外双色探测器中紫外响应的影响

  • 1. 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京 100083
    基金项目: 

    国家杰出青年科学基金(批准号:60925017)和国家自然科学基金(批准号:10990100,60836003,60776047)资助的课题.

摘要: 研究了AlGaN层参数对GaN基n+-GaN/i-AlxGa1-xN/n+-GaN结构紫外和红外双色探测器中紫外响应的影响规律及物理机制. 模拟计算发现: 降低AlGaN层本底载流子浓度会增加器件的量子效率,当本底载流子浓度不能进一步降低时,可以通过减小AlGaN层的厚度以保证器件的量子效率. 在材料生长和器件工艺过程中都应减少界面态. 外加较小的反向偏压能大幅度提高紫外量子效率,分析表明,GaN/AlGaN/GaN形成的两个背靠背、方向相反的异质结电场是出现这些现象的根本原因. 在实际器件设计中,应该根据需要调节各结构参数,以保证器件的量子效率.

English Abstract

参考文献 (14)

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