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ZnO高掺杂Ga的浓度对导电性能和红移效应影响的第一性原理研究

侯清玉 赵春旺 金永军 关玉琴 林琳 李继军

ZnO高掺杂Ga的浓度对导电性能和红移效应影响的第一性原理研究

侯清玉, 赵春旺, 金永军, 关玉琴, 林琳, 李继军
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  • 采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,在相同环境条件下建立了浓度不同的由Ga原子取代Zn原子的Zn1-xGaxO模型.对低温高掺杂Ga原子的Zn1-xGaxO半导体的能带结构、态密度和吸收光谱进行了计算.结果表明:Ga原子浓度越大,进入导带的相对电子数越多,但是电子迁移率反而减小.通过对掺杂和未掺杂ZnO的电导率以及最小间隙带宽度分别进行了比较
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号: 10862002)和内蒙古工业大学科研计划(批准号: ZD200916)资助的课题.
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    [2]

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    [3]Aoki T, Hatanaka Y, Look D C 2000 Appl. Phys. Lett. 76 3257

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    [10] 蒋吉昊, 王桂吉, 杨 宇. 一种测量金属电爆炸过程中电导率的新方法. 物理学报, 2008, 57(2): 1123-1127. doi: 10.7498/aps.57.1123
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-07-01
  • 修回日期:  2009-11-19
  • 刊出日期:  2010-06-15

ZnO高掺杂Ga的浓度对导电性能和红移效应影响的第一性原理研究

  • 1. 内蒙古工业大学理学院,呼和浩特 010051
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 10862002)和内蒙古工业大学科研计划(批准号: ZD200916)资助的课题.

摘要: 采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,在相同环境条件下建立了浓度不同的由Ga原子取代Zn原子的Zn1-xGaxO模型.对低温高掺杂Ga原子的Zn1-xGaxO半导体的能带结构、态密度和吸收光谱进行了计算.结果表明:Ga原子浓度越大,进入导带的相对电子数越多,但是电子迁移率反而减小.通过对掺杂和未掺杂ZnO的电导率以及最小间隙带宽度分别进行了比较

English Abstract

参考文献 (23)

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