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使用AlN/GaN超晶格势垒层生长高Al组分AlGaN/GaN HEMT结构

丁国建 郭丽伟 邢志刚 陈耀 徐培强 贾海强 周均铭 陈弘

使用AlN/GaN超晶格势垒层生长高Al组分AlGaN/GaN HEMT结构

丁国建, 郭丽伟, 邢志刚, 陈耀, 徐培强, 贾海强, 周均铭, 陈弘
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  • 在蓝宝石衬底上生长了以AlN/GaN超晶格准AlGaN合金作为势垒的HEMT结构材料,并与传统AlGaN合金势垒样品进行了对比.在高Al组分(≥40%)情况下,超晶格势垒样品的表面形貌明显改进,电学性能特别是2DEG面电子浓度也有所改进.对超晶格势垒生长参数进行了初步优化,使得HEMT结构薄层电阻进一步降低,最后获得了251 Ω/□的薄层电阻.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号: 10574148), 国家重点基础研究发展计划(批准号: 2006CB921300), 国家高技术研究发展计划(批准号: 2006AA03A106, 2006AA03A107)资助的课题.
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    Ambacher O, Smart J, Shealy J R, Weimann N G, Chu K, Murphy M, Schaff W J, Eastman L F, Dimitrov R, Wittmer L, Stutzmann M, Rieger W, Hilsenbeck J 1999 J. Appl. Phys. 85 3222

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    Elass C R, Smorchkova I P, Heying B, Haus E, Poblenz C, Fini P, Maranowski K, Petroff P M, DenBaars S P, Mishra U K, Speck J S, Saxler A, Elhamri S, Mitchel W C 2000 Jpn. J. Appl. Phys. Part 39 L1023

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    Wang H M, Zhang J P, Chen C Q, Fareed Q, Yang J W, Khan M A 2002 Appl. Phys. Lett. 81 604

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    Yamaguchi S, Kosaki M, Watanabe Y, Nitta S, Amano H, Akasaki I 2001 Appl. Phys. Lett. 79 3062

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    Liu Z, Wang X L, Wang J X, Hu G X, Guo L C, Li J M 2007 Chin. Phys. 16 1467

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出版历程
  • 收稿日期:  2009-12-08
  • 修回日期:  2009-12-22
  • 刊出日期:  2010-04-05

使用AlN/GaN超晶格势垒层生长高Al组分AlGaN/GaN HEMT结构

  • 1. 北京凝聚态物理国家实验室,中国科学院物理研究所清洁能源实验室,北京 100190
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 10574148), 国家重点基础研究发展计划(批准号: 2006CB921300), 国家高技术研究发展计划(批准号: 2006AA03A106, 2006AA03A107)资助的课题.

摘要: 在蓝宝石衬底上生长了以AlN/GaN超晶格准AlGaN合金作为势垒的HEMT结构材料,并与传统AlGaN合金势垒样品进行了对比.在高Al组分(≥40%)情况下,超晶格势垒样品的表面形貌明显改进,电学性能特别是2DEG面电子浓度也有所改进.对超晶格势垒生长参数进行了初步优化,使得HEMT结构薄层电阻进一步降低,最后获得了251 Ω/□的薄层电阻.

English Abstract

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