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GaN 光电阴极的研究及其发展

李飙 常本康 徐源 杜晓晴 杜玉杰 王晓晖 张俊举

GaN 光电阴极的研究及其发展

李飙, 常本康, 徐源, 杜晓晴, 杜玉杰, 王晓晖, 张俊举
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  • GaN 光电阴极的理论研究主要集中在量子产额、电子能量分布和表面模型三个方面.国内对 GaN 光电阴极的研究尚处于起步阶段,存在基础理论不太明确、关键制备工艺欠成熟的问题.重点探讨了 GaN 光电阴极在发射机理、材料生长、表面净化、激活工艺的优化、变掺杂结构设计和稳定性等方面的研究动向、存在的相关问题及应采取的措施.根据实验结果提出了制备GaN光电阴极的可行性工艺流程.
    • 基金项目: 国家自然科学基金 (批准号:60871012, 60701013)资助的课题.
    [1]

    Mizuno I, Nihashi T, Nagai T, Niigaki M, Shimizu Y, Shimano K, Katoh K, Ihara T, Okano K, Matsumoto M, Tachino M 2008 Proc. SPIE 6945 69451N1

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  • [1] 刘乃漳, 张雪冰, 姚若河. AlGaN/GaN 高电子迁移率器件外部边缘电容的物理模型. 物理学报, 2020, (): . doi: 10.7498/aps.69.20191931
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-10-20
  • 修回日期:  2010-12-30
  • 刊出日期:  2011-08-15

GaN 光电阴极的研究及其发展

  • 1. 南京理工大学电子工程与光电技术学院,南京 210094;
  • 2. 重庆大学光电工程学院,重庆 400030
    基金项目: 

    国家自然科学基金 (批准号:60871012, 60701013)资助的课题.

摘要: GaN 光电阴极的理论研究主要集中在量子产额、电子能量分布和表面模型三个方面.国内对 GaN 光电阴极的研究尚处于起步阶段,存在基础理论不太明确、关键制备工艺欠成熟的问题.重点探讨了 GaN 光电阴极在发射机理、材料生长、表面净化、激活工艺的优化、变掺杂结构设计和稳定性等方面的研究动向、存在的相关问题及应采取的措施.根据实验结果提出了制备GaN光电阴极的可行性工艺流程.

English Abstract

参考文献 (81)

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