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GaN HEMT栅边缘电容用于缺陷的研究

王鑫华 庞磊 陈晓娟 袁婷婷 罗卫军 郑英奎 魏珂 刘新宇

GaN HEMT栅边缘电容用于缺陷的研究

王鑫华, 庞磊, 陈晓娟, 袁婷婷, 罗卫军, 郑英奎, 魏珂, 刘新宇
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  • 本文对GaN HEMT栅漏电容的频率色散特性进行分析,认为栅边缘电容的色散是导致栅漏电容频率色散特性不同于圆肖特基二极管电容的主要原因. 通过对不同栅偏置条件下缺陷附加电容与频率关系的拟合,发现小栅压下的缺陷附加电容仅满足单能级缺陷模型,而强反向栅压下的缺陷附加电容同时满足单能级和连续能级缺陷模型. 实验中栅边缘电容的频率色散现象在钝化工艺后出现,其反映的缺陷很可能是钝化工艺引入,且位于源漏间栅金属未覆盖区域的表面. 最后通过低频噪声技术进一步验证栅边缘电容提取缺陷参数的可行性. 低频噪声技术获得的单能级
    • 基金项目: 国家重点基础研究发展计划(973)项目(批准号:2010CB327500)资助的课题.
    [1]

    Waltereit P, Bronner W, Kiefer R, Quay R, Kühn J, Van Raay F, Dammann M, Müller S, Libal C, Meier T, Mikulla M,Ambacher O 2010 CS MANTECH Conference Oregon Portland, USA, May 17th—20th, 2010 p137

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    Chou Y C, Leung D, Smorchkova I, Wojtowicz M, Grundbacher R, Callejo L, Kan Q, Lai R, Liu P H, Eng D,Oki A 2004 Microelectron. Reliab. 44 1033

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    Park S Y, Floresca C, Chowdhury U, Jimenez J L, Lee C, Beam E, Saunier P, Balistreri T,Kim M J 2009 Microelectron. Reliab. 49 478

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    Dammann M, Pletschen W, Waltereit P, Bronner W, Quay R, Müller S, Mikulla M, Ambacher O, van der Wel P J, Murad S, Rödle T, Behtash R, Bourgeois F, Riepe K, Fagerlind M,Sveinbjörnsson E  2009 Microelectron. Reliab. 49 474

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    Rumyantsev S L, Pala N, Shur M S, Borovitskaya E, Dmitriev A P, Levinshtein M E, Gaska R, Khan M A, Jinwei Y, Xuhong H,Simin G 2001 IEEE Trans. Electron Devices 48 530

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    [7]

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出版历程
  • 收稿日期:  2010-10-18
  • 修回日期:  2010-12-27
  • 刊出日期:  2011-09-15

GaN HEMT栅边缘电容用于缺陷的研究

  • 1. 中国科学院微电子研究所,微电子器件与集成技术重点实验室,北京 100029
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展计划(973)项目(批准号:2010CB327500)资助的课题.

摘要: 本文对GaN HEMT栅漏电容的频率色散特性进行分析,认为栅边缘电容的色散是导致栅漏电容频率色散特性不同于圆肖特基二极管电容的主要原因. 通过对不同栅偏置条件下缺陷附加电容与频率关系的拟合,发现小栅压下的缺陷附加电容仅满足单能级缺陷模型,而强反向栅压下的缺陷附加电容同时满足单能级和连续能级缺陷模型. 实验中栅边缘电容的频率色散现象在钝化工艺后出现,其反映的缺陷很可能是钝化工艺引入,且位于源漏间栅金属未覆盖区域的表面. 最后通过低频噪声技术进一步验证栅边缘电容提取缺陷参数的可行性. 低频噪声技术获得的单能级

English Abstract

参考文献 (29)

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