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电场下GaAs/Ga1-xAlxAs量子阱中的子带和激子

朱嘉麟 唐道华 熊家炯 顾秉林

电场下GaAs/Ga1-xAlxAs量子阱中的子带和激子

朱嘉麟, 唐道华, 熊家炯, 顾秉林
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出版历程
  • 收稿日期:  1988-07-11
  • 刊出日期:  2005-07-08

电场下GaAs/Ga1-xAlxAs量子阱中的子带和激子

  • 1. 清华大学物理系

摘要: 本文利用有限势垒模型,研究电场对GaAs/Ga1-xAlxAs量子阱中子带和激子的影响。对阱宽为105?的GaAs/Ga0.66Al0.34As量子阱,电场由0—1.2×105V/cm,我们计算了电子和空穴的子带以及激子的结合能。基于上述计算结果,所得电子-空穴重叠函数和激子峰的能量移动与实验测量符合得较好。

English Abstract

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