用低能电子衍射研究ⅢA-ⅤA和ⅡB-ⅥA化合物(110)和(1010)表面的弛豫

蓝田; 徐飞岳

doi:10.7498/aps.39.66

搜索

文章查询

期刊名称:

年:

期:

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

用低能电子衍射研究ⅢA-ⅤA和ⅡB-ⅥA化合物(110)和(1010)表面的弛豫

蓝田 , 徐飞岳

凝聚物质：结构、热学和力学性质

用低能电子衍射研究ⅢA-ⅤA和ⅡB-ⅥA化合物(110)和(1010)表面的弛豫

蓝田, 徐飞岳

物理学报. 1990, 39(7): 66-76.

doi: 10.7498/aps.39.66.

摘要
用低能电子衍射研究了ⅢA-VA和ⅡB-VIA化合物(110)和(1010)表面的弛豫,发现当理论计算与实验符合得很好时其结构是:保持表面上A-B键长不变,用一个旋转角ω,使B原(离)子向外移动,A原(离)子向内移动,第一表面原子层间距d1=0.610-0.810?[对ⅢA-VA(110)],0.536—0.825?[对ⅡB-VIA(110)]和0.633-1.060?[对ⅡB-VIA(1010),第二表面原子层间距d2=1.300-1.610?[对ⅢA-VA(100)],1.430-1.700?[对ⅡB-VIA(110)]和0.820-0.930?[对ⅡB-VIA(1010),而第三表面原子层间距d3=1.410-2.440?[对ⅢA-VA(110)],2.020-2.250?[对ⅡB-VIA(110)]和1.910-2.440?[对ⅡB-VIA(1010)]。对此结构,弛豫率α是:0.24±0.02[对ⅢA-VA(110)],0.25±0.02[对ⅡB-VIA(1010)]和0.33±0.03[对ⅡB-VIA(1010)]。
作者及机构信息
蓝田,

徐飞岳

1.
电子科技大学化学系,成都,610054
参考文献

施引文献

[1]	蓝田, 徐飞岳. 用低能电子衍射研究GaAs(110)表面的弛豫. 物理学报, 1989, 38(3): 357-365. doi: 10.7498/aps.38.357
[2]	蓝田, 徐飞岳. 用低能电子衍射研究Si(111)7×7表面的原子结构. 物理学报, 1989, 38(7): 1077-1085. doi: 10.7498/aps.38.1077
[3]	胡晓明, 林彰达. 用低能电子衍射研究氢在Si(100)表面吸附引起的相变. 物理学报, 1996, 45(6): 985-989. doi: 10.7498/aps.45.985
[4]	姜金龙, 李文杰, 周立, 赵汝光, 杨威生. 高指数稳定硅表面的低能电子衍射图分析. 物理学报, 2003, 52(1): 156-162. doi: 10.7498/aps.52.156
[5]	吴汲安, 张敬平, 邢益荣, 刘赤子, 王昌衡. Si(113)表面原子结构的低能电子衍射研究. 物理学报, 1992, 41(11): 1806-1812. doi: 10.7498/aps.41.1806
[6]	胡兹莆, 李嘉, 伍乃娟. Cs/C(0001)-(2×2)表面结构分析低能电子衍射动力学计算. 物理学报, 1988, 37(12): 2068-2072. doi: 10.7498/aps.37.2068
[7]	费浩生, 韩力, 陈肖慧, 赵家龙. 用激光频域技术测量卟啉化合物激发态的弛豫过程. 物理学报, 1991, 40(1): 43-48. doi: 10.7498/aps.40.43
[8]	陈璐, 李烨飞, 郑巧玲, 刘庆坤, 高义民, 李博, 周长猛. B2-和B19'-NiTi表面原子弛豫、表面能、电子结构及性能的理论研究. 物理学报, 2019, 68(5): 053101. doi: 10.7498/aps.68.20181944
[9]	贾金峰, 李燕芳, 赵汝光, 杨威生. 一种改进的运动学低能电子衍射和数据平均方法及其在Cu(001)1×1表面上的应用. 物理学报, 1992, 41(5): 819-826. doi: 10.7498/aps.41.819
[10]	贾瑜, 范希庆, 马丙现. CdTe(110)弛豫表面电子态的计算. 物理学报, 1997, 46(10): 1999-2006. doi: 10.7498/aps.46.1999
[11]	赵良仲. Ce(Ⅳ)和Ce(Ⅲ)化合物系列的X射线光电子能谱研究. 物理学报, 1989, 38(6): 987-990. doi: 10.7498/aps.38.987
[12]	贾金峰, 赵汝光, 杨威生. 一种改进的运动学低能电子衍射和数据平均方法在Si(111)31/2×31/2-Al表面上的应用. 物理学报, 1992, 41(5): 827-832. doi: 10.7498/aps.41.827
[13]	苏文辉, 白锁柱, 姚斌. B0.44C0.27N0.29化合物的合成、表征和性能. 物理学报, 2005, 54(10): 4627-4632. doi: 10.7498/aps.54.4627
[14]	马丙现, 贾瑜, 范希庆. ZnTe(110)表面电子态及其弛豫对表面电子态的影响. 物理学报, 1998, 47(6): 970-977. doi: 10.7498/aps.47.970
[15]	谭明秋, 陶向明, 徐小军, 蔡建秋. 含铀化合物UAl3和USn3电子结构的密度泛函研究. 物理学报, 2003, 52(12): 3142-3149. doi: 10.7498/aps.52.3142
[16]	郭永权, 李卫, 张昌文, 李华, 董建敏, 王永娟, 潘凤春. 化合物SmCo5的电子结构、自旋和轨道磁矩及其交换作用分析. 物理学报, 2005, 54(4): 1814-1820. doi: 10.7498/aps.54.1814
[17]	段文晖, 顾秉林, 朱嘉麟. 硫族化合物半导体CdSe,CdTe和SnSe的电子结构. 物理学报, 1990, 39(3): 437-445. doi: 10.7498/aps.39.437
[18]	杨静洁, 赵金良, 许磊, 张红国, 岳明, 刘丹敏, 蒋毅坚. 间隙原子H,B,C对LaFe11.5Al1.5化合物磁性和磁热效应的影响. 物理学报, 2018, 67(7): 077501. doi: 10.7498/aps.67.20172250
[19]	卢学坤, 董国胜. 用ARUPS和HREELS研究GaP(111)面的表面态. 物理学报, 1989, 38(12): 1974-1980. doi: 10.7498/aps.38.1974
[20]	徐彭寿, 邓锐, 潘海斌, 徐法强, 谢长坤, 李拥华, 刘凤琴, 易布拉欣·奎热西. GaN表面极性的光电子衍射研究. 物理学报, 2004, 53(4): 1171-1176. doi: 10.7498/aps.53.1171

引用本文:

Citation:

计量

文章访问数: 2783
PDF下载量: 587
被引次数: 0

物理学报. 1990, 39(7): 66-76.

doi: 10.7498/aps.39.66.

用低能电子衍射研究ⅢA-ⅤA和ⅡB-ⅥA化合物(110)和(1010)表面的弛豫

蓝田
徐飞岳

1. 电子科技大学化学系,成都,610054

收稿日期: 1989-05-04
刊出日期: 2005-06-17

摘要: 用低能电子衍射研究了ⅢA-VA和ⅡB-VIA化合物(110)和(1010)表面的弛豫,发现当理论计算与实验符合得很好时其结构是:保持表面上A-B键长不变,用一个旋转角ω,使B原(离)子向外移动,A原(离)子向内移动,第一表面原子层间距d1=0.610-0.810?[对ⅢA-VA(110)],0.536—0.825?[对ⅡB-VIA(110)]和0.633-1.060?[对ⅡB-VIA(1010),第二表面原子层间距d2=1.300-1.610?[对ⅢA-VA(100)],1.430-1.700?[对ⅡB-VIA(110)]和0.820-0.930?[对ⅡB-VIA(1010),而第三表面原子层间距d3=1.410-2.440?[对ⅢA-VA(110)],2.020-2.250?[对ⅡB-VIA(110)]和1.910-2.440?[对ⅡB-VIA(1010)]。对此结构,弛豫率α是:0.24±0.02[对ⅢA-VA(110)],0.25±0.02[对ⅡB-VIA(1010)]和0.33±0.03[对ⅡB-VIA(1010)]。

English Abstract

全文HTML

下载: 全尺寸图片幻灯片

返回文章

搜索

文章查询

留言板

用低能电子衍射研究ⅢA-ⅤA和ⅡB-ⅥA化合物(110)和(1010)表面的弛豫

摘要

作者及机构信息

1.
电子科技大学化学系,成都,610054

参考文献

施引文献

目录

计量

用低能电子衍射研究ⅢA-ⅤA和ⅡB-ⅥA化合物(110)和(1010)表面的弛豫

English Abstract

A STUDY OF IIIA-VA AND IIB-VIA COMPOUNDS AB(110)AND AB(1010) SURFACE RELAXATION WITH LOW-ENERGY-ELECTRON DIFFRACTION

1.
电子科技大学化学系,成都,610054

全文HTML

目录

作者中心

审稿中心

关于期刊

关于我们

搜索

文章查询

留言板

用低能电子衍射研究ⅢA-ⅤA和ⅡB-ⅥA化合物(110)和(1010)表面的弛豫

摘要

作者及机构信息

1. 电子科技大学化学系,成都,610054

参考文献

施引文献

目录

计量

出版历程

用低能电子衍射研究ⅢA-ⅤA和ⅡB-ⅥA化合物(110)和(1010)表面的弛豫

English Abstract

A STUDY OF IIIA-VA AND IIB-VIA COMPOUNDS AB(110)AND AB(1010) SURFACE RELAXATION WITH LOW-ENERGY-ELECTRON DIFFRACTION

1. 电子科技大学化学系,成都,610054

全文HTML

目录

作者中心

审稿中心

关于期刊

关于我们

1.
电子科技大学化学系,成都,610054

1.
电子科技大学化学系,成都,610054