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n型硅脉冲激光掺铟的物理过程与缺陷特性研究

任云珠 曹永明 刘开锋 蔡劲 孙恒慧

n型硅脉冲激光掺铟的物理过程与缺陷特性研究

任云珠, 曹永明, 刘开锋, 蔡劲, 孙恒慧
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出版历程
  • 收稿日期:  1989-09-04
  • 刊出日期:  2005-06-17

n型硅脉冲激光掺铟的物理过程与缺陷特性研究

  • 1. (1)复旦大学材料科学系,上海,200433; (2)复旦大学物理系,上海,200433

摘要: 用Nd-YAG脉冲激光对n型硅掺铟,形成外p+n结。利用二次离子质谱仪(SIMS)、卢瑟福背散射(RBS)等方法,研究了硅内铟的分布,并分析了用20ns脉冲激光硅掺铟的物理过程,发现当激光能量密度足够大时,在硅表面层存在硅-铟混合熔体和液态硅两部分。当激光能量密度较小时,硅表面层仅有液态硅层、用I-V,C-V和深能级瞬态谱(DLTS)等方法研究了p+n结的电学性质,发现在p+n结的n区存在两个缺陷。一个能通过快速热退火,在600℃,60s条件下消失,研究表明可能为空位与杂质的复合体。另一个通过快速热退火不能消失,可能与位错有关。

English Abstract

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