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磷化铟中离子注入硅的双性行为研究

沈鸿烈 杨根庆 周祖尧 邹世昌

磷化铟中离子注入硅的双性行为研究

沈鸿烈, 杨根庆, 周祖尧, 邹世昌
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出版历程
  • 收稿日期:  1990-05-08
  • 刊出日期:  2005-07-01

磷化铟中离子注入硅的双性行为研究

  • 1. 中国科学院上海冶金研究所离子束开放研究实验室,上海,200050

摘要: 本文研究了热靶条件下注Si+的磷化铟材料的电学特性和低温光致荧光特性,发现Si+单注入样品的薄层载流子浓度随注入剂量的增加而趋于饱和,共P+注入后薄层载流子浓度大大增加,低温光致荧光谱研究表明,注Si+的磷化铟中存在Sip-Vp络合物缺陷,共P+注入能抑制其形成,表明Si+注入磷化铟中呈双性行为,还对Si++P

English Abstract

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