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外磁场对介质表面次级电子倍增效应的影响

蔡利兵 王建国 朱湘琴 王玥 宣春 夏洪富

外磁场对介质表面次级电子倍增效应的影响

蔡利兵, 王建国, 朱湘琴, 王玥, 宣春, 夏洪富
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出版历程
  • 收稿日期:  2011-03-21
  • 修回日期:  2012-04-05
  • 刊出日期:  2012-04-05

外磁场对介质表面次级电子倍增效应的影响

  • 1. 西北核技术研究所, 西安 710024;
  • 2. 西安交通大学电子与信息工程学院, 西安 710049
  • 通信作者: , clb@mail.ustc.edu.cn
    基金项目: 

    国家高技术研究发展计划(863)资助的课题.

摘要: 本文采用Particle-in-cell数值方法模拟研究了不同强度外磁场条件下的次级电子倍增效应过程,分析了外磁场对次级电子倍增效应的影响.结果表明,当外磁场达到一定强度时,次级电子倍增效应在微波传输的一半时间内被抑制.通过外磁场抑制,在理想条件下可以使介质窗的微波传输功率容量提高4倍以上.

English Abstract

参考文献 (11)

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