外磁场对介质表面次级电子倍增效应的影响

蔡利兵; 王建国; 朱湘琴; 王玥; 宣春; 夏洪富

doi:10.7498/aps.61.075101

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外磁场对介质表面次级电子倍增效应的影响

蔡利兵 , 王建国 , 朱湘琴 , 王玥 , 宣春 , 夏洪富

外磁场对介质表面次级电子倍增效应的影响

蔡利兵, 王建国, 朱湘琴, 王玥, 宣春, 夏洪富

物理学报. 2012, 61(7): 075101.

doi: 10.7498/aps.61.075101.

摘要

本文采用Particle-in-cell数值方法模拟研究了不同强度外磁场条件下的次级电子倍增效应过程,分析了外磁场对次级电子倍增效应的影响.结果表明,当外磁场达到一定强度时,次级电子倍增效应在微波传输的一半时间内被抑制.通过外磁场抑制,在理想条件下可以使介质窗的微波传输功率容量提高4倍以上.

关键词:

作者及机构信息

1.
西北核技术研究所, 西安 710024;

2.
西安交通大学电子与信息工程学院, 西安 710049

基金项目: 国家高技术研究发展计划(863)资助的课题.

参考文献

[1]	Shao H,Liu G Z 2001 Acta Phys.Sin.50 2387 (in Chinese)[邵浩,刘国治 2001 物理学报 50 2387]
[2]	Barker R J,Schamiloglu E (Translated by Zhou CM,Liu G Z et al)2004 High-Power Microwave Sources and Technologies (Beijing:Tsinghua University Press )p313—322,p350(in Chinese)[罗伯特 J.贝克,E.谢米洛格鲁著 (周传明,刘国治等译)2004高功率微波源与技术(北京:清华大学出版社)第313-322,350页]
[3]	Vaughan R M 1988 IEEE Trans.Electron Dev.35 1172
[4]	Kishek R A,Lau Y Y 1998 Phys.Rev.Lett.80 193
[5]	Kim H C,Verboncoeur J P 2006 Phys.Plasma 13 123506
[6]	Cai L B,Wang J G 2011 Acta Phys.Sin.60 025217 (in Chinese)[蔡利兵,王建国 2011 物理学报 60 025217]
[7]	Valfells A,Ang L K,Lau Y Y,Gilgenbach RM2000 Phys.Plasma 7 750
[8]	Sazontov A G,Nevchaev V E 2010 Phys.Plasma 17 033509
[9]	Chang C,Liu G Z,Tang C X,Chen C H,Shao H,Huang W H 2010 Appl.Phys.Lett.96 111502
[10]	Fu Z F,Hu Y Q 1995 Numerical Simulation of Space Plasma (Hefei:Anhui Science and Technology Publishers)p433—476 (in Chinese)[傅竹风,胡友秋 1995 空间等离子体数值模拟(合肥:安徽科学技术出版社)第433-476页]
[11]	Vaughan R M 1993 IEEE Trans.Electron Dev.40 830

施引文献

[1]	Shao H,Liu G Z 2001 Acta Phys.Sin.50 2387 (in Chinese)[邵浩,刘国治 2001 物理学报 50 2387]
[2]	Barker R J,Schamiloglu E (Translated by Zhou CM,Liu G Z et al)2004 High-Power Microwave Sources and Technologies (Beijing:Tsinghua University Press )p313—322,p350(in Chinese)[罗伯特 J.贝克,E.谢米洛格鲁著 (周传明,刘国治等译)2004高功率微波源与技术(北京:清华大学出版社)第313-322,350页]
[3]	Vaughan R M 1988 IEEE Trans.Electron Dev.35 1172
[4]	Kishek R A,Lau Y Y 1998 Phys.Rev.Lett.80 193
[5]	Kim H C,Verboncoeur J P 2006 Phys.Plasma 13 123506
[6]	Cai L B,Wang J G 2011 Acta Phys.Sin.60 025217 (in Chinese)[蔡利兵,王建国 2011 物理学报 60 025217]
[7]	Valfells A,Ang L K,Lau Y Y,Gilgenbach RM2000 Phys.Plasma 7 750
[8]	Sazontov A G,Nevchaev V E 2010 Phys.Plasma 17 033509
[9]	Chang C,Liu G Z,Tang C X,Chen C H,Shao H,Huang W H 2010 Appl.Phys.Lett.96 111502
[10]	Fu Z F,Hu Y Q 1995 Numerical Simulation of Space Plasma (Hefei:Anhui Science and Technology Publishers)p433—476 (in Chinese)[傅竹风,胡友秋 1995 空间等离子体数值模拟(合肥:安徽科学技术出版社)第433-476页]
[11]	Vaughan R M 1993 IEEE Trans.Electron Dev.40 830

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物理学报. 2012, 61(7): 075101.

doi: 10.7498/aps.61.075101.

外磁场对介质表面次级电子倍增效应的影响

1. 西北核技术研究所, 西安 710024;
2. 西安交通大学电子与信息工程学院, 西安 710049

基金项目:

国家高技术研究发展计划(863)资助的课题.

收稿日期: 2011-03-21
修回日期: 2012-04-05
刊出日期: 2012-04-05

摘要: 本文采用Particle-in-cell数值方法模拟研究了不同强度外磁场条件下的次级电子倍增效应过程,分析了外磁场对次级电子倍增效应的影响.结果表明,当外磁场达到一定强度时,次级电子倍增效应在微波传输的一半时间内被抑制.通过外磁场抑制,在理想条件下可以使介质窗的微波传输功率容量提高4倍以上.

关键词:

English Abstract

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