外磁场对介质表面次级电子倍增效应的影响

蔡利兵; 王建国; 朱湘琴; 王玥; 宣春; 夏洪富

doi:10.7498/aps.61.075101

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名

邮箱

手机号码

标题

留言内容

验证码

摘要

本文采用Particle-in-cell数值方法模拟研究了不同强度外磁场条件下的次级电子倍增效应过程,分析了外磁场对次级电子倍增效应的影响.结果表明,当外磁场达到一定强度时,次级电子倍增效应在微波传输的一半时间内被抑制.通过外磁场抑制,在理想条件下可以使介质窗的微波传输功率容量提高4倍以上.

关键词:

作者及机构信息

1.
西北核技术研究所, 西安 710024;

2.
西安交通大学电子与信息工程学院, 西安 710049

通信作者: , clb@mail.ustc.edu.cn

基金项目: 国家高技术研究发展计划(863)资助的课题.

参考文献

[1]	Shao H,Liu G Z 2001 Acta Phys.Sin.50 2387 (in Chinese)[邵浩,刘国治 2001 物理学报 50 2387]
[2]	Barker R J,Schamiloglu E (Translated by Zhou CM,Liu G Z et al)2004 High-Power Microwave Sources and Technologies (Beijing:Tsinghua University Press )p313—322,p350(in Chinese)[罗伯特 J.贝克,E.谢米洛格鲁著 (周传明,刘国治等译)2004高功率微波源与技术(北京:清华大学出版社)第313-322,350页]
[3]	Vaughan R M 1988 IEEE Trans.Electron Dev.35 1172
[4]	Kishek R A,Lau Y Y 1998 Phys.Rev.Lett.80 193
[5]	Kim H C,Verboncoeur J P 2006 Phys.Plasma 13 123506
[6]	Cai L B,Wang J G 2011 Acta Phys.Sin.60 025217 (in Chinese)[蔡利兵,王建国 2011 物理学报 60 025217]
[7]	Valfells A,Ang L K,Lau Y Y,Gilgenbach RM2000 Phys.Plasma 7 750
[8]	Sazontov A G,Nevchaev V E 2010 Phys.Plasma 17 033509
[9]	Chang C,Liu G Z,Tang C X,Chen C H,Shao H,Huang W H 2010 Appl.Phys.Lett.96 111502
[10]	Fu Z F,Hu Y Q 1995 Numerical Simulation of Space Plasma (Hefei:Anhui Science and Technology Publishers)p433—476 (in Chinese)[傅竹风,胡友秋 1995 空间等离子体数值模拟(合肥:安徽科学技术出版社)第433-476页]
[11]	Vaughan R M 1993 IEEE Trans.Electron Dev.40 830

施引文献

[1]	Shao H,Liu G Z 2001 Acta Phys.Sin.50 2387 (in Chinese)[邵浩,刘国治 2001 物理学报 50 2387]
[2]	Barker R J,Schamiloglu E (Translated by Zhou CM,Liu G Z et al)2004 High-Power Microwave Sources and Technologies (Beijing:Tsinghua University Press )p313—322,p350(in Chinese)[罗伯特 J.贝克,E.谢米洛格鲁著 (周传明,刘国治等译)2004高功率微波源与技术(北京:清华大学出版社)第313-322,350页]
[3]	Vaughan R M 1988 IEEE Trans.Electron Dev.35 1172
[4]	Kishek R A,Lau Y Y 1998 Phys.Rev.Lett.80 193
[5]	Kim H C,Verboncoeur J P 2006 Phys.Plasma 13 123506
[6]	Cai L B,Wang J G 2011 Acta Phys.Sin.60 025217 (in Chinese)[蔡利兵,王建国 2011 物理学报 60 025217]
[7]	Valfells A,Ang L K,Lau Y Y,Gilgenbach RM2000 Phys.Plasma 7 750
[8]	Sazontov A G,Nevchaev V E 2010 Phys.Plasma 17 033509
[9]	Chang C,Liu G Z,Tang C X,Chen C H,Shao H,Huang W H 2010 Appl.Phys.Lett.96 111502
[10]	Fu Z F,Hu Y Q 1995 Numerical Simulation of Space Plasma (Hefei:Anhui Science and Technology Publishers)p433—476 (in Chinese)[傅竹风,胡友秋 1995 空间等离子体数值模拟(合肥:安徽科学技术出版社)第433-476页]
[11]	Vaughan R M 1993 IEEE Trans.Electron Dev.40 830

[1]	蔡利兵, 王建国, 朱湘琴. 强直流场介质表面次级电子倍增效应的数值模拟研究. 物理学报, 2011, 60(8): 085101. doi: 10.7498/aps.60.085101
[2]	蔡利兵, 王建国. 介质表面高功率微波击穿的数值模拟. 物理学报, 2009, 58(5): 3268-3273. doi: 10.7498/aps.58.3268
[3]	张雪, 王勇, 范俊杰, 张瑞. 圆窗片表面次级电子倍增效应的数值模拟. 物理学报, 2014, 63(22): 227901. doi: 10.7498/aps.63.227901
[4]	蔡利兵, 王建国. 微波磁场和斜入射对介质表面次级电子倍增的影响. 物理学报, 2010, 59(2): 1143-1147. doi: 10.7498/aps.59.1143
[5]	蔡利兵, 王建国. 介质表面高功率微波击穿中释气现象的数值模拟研究. 物理学报, 2011, 60(2): 025217. doi: 10.7498/aps.60.025217
[6]	张雪, 王勇, 范俊杰, 朱方, 张瑞. 金属壁与介质窗之间次级电子倍增效应的研究. 物理学报, 2014, 63(16): 167901. doi: 10.7498/aps.63.167901
[7]	左春彦, 高飞, 戴忠玲, 王友年. 高功率微波输出窗内侧击穿动力学的PIC/MCC模拟研究. 物理学报, 2018, 67(22): 225201. doi: 10.7498/aps.67.20181260
[8]	张雪, 范俊杰, 王勇. 刻周期半圆弧槽窗片对次级电子倍增效应的抑制. 物理学报, 2014, 63(22): 227902. doi: 10.7498/aps.63.227902
[9]	郭玉献, 王劼, 李红红, 徐彭寿, 王锋, 闫文盛. 样品电流模式下外磁场引起的X射线吸收谱强度变化. 物理学报, 2007, 56(1): 561-568. doi: 10.7498/aps.56.561
[10]	张磊, 任敏, 胡九宁, 邓宁, 陈培毅. 用外磁场控制电流感应磁化翻转效应中的临界电流方法. 物理学报, 2008, 57(4): 2427-2431. doi: 10.7498/aps.57.2427
[11]	张远涛, 王德真, 王艳辉. 大气压介质阻挡丝状放电时空演化数值模拟. 物理学报, 2005, 54(10): 4808-4815. doi: 10.7498/aps.54.4808
[12]	王艳辉, 王德真. 介质阻挡均匀大气压辉光放电数值模拟研究. 物理学报, 2003, 52(7): 1694-1700. doi: 10.7498/aps.52.1694
[13]	花金荣, 祖小涛, 李莉, 向霞, 陈猛, 蒋晓东, 袁晓东, 郑万国. 熔石英亚表面三维Hertz锥形划痕附近光强分布的数值模拟. 物理学报, 2010, 59(4): 2519-2524. doi: 10.7498/aps.59.2519
[14]	封国宝, 王芳, 曹猛. 电子辐照聚合物带电特性多参数共同作用的数值模拟. 物理学报, 2015, 64(22): 227901. doi: 10.7498/aps.64.227901
[15]	喻明浩. 非平衡感应耦合等离子体流场与电磁场作用机理的数值模拟. 物理学报, 2019, 68(18): 185202. doi: 10.7498/aps.68.20190865
[16]	蒋勇, 贺少勃, 袁晓东, 王海军, 廖威, 吕海兵, 刘春明, 向霞, 邱荣, 杨永佳, 郑万国, 祖小涛. CO2激光光栅式扫描修复熔石英表面缺陷的实验研究与数值模拟. 物理学报, 2014, 63(6): 068105. doi: 10.7498/aps.63.068105
[17]	刘腊群, 刘大刚, 王学琼, 杨超, 夏蒙重, 彭凯. 磁绝缘传输线中心汇流区电子能量沉积及温度变化的数值模拟研究. 物理学报, 2012, 61(16): 162902. doi: 10.7498/aps.61.162902
[18]	胡玥, 饶海波. 单层有机器件的电子传输特性的数值模拟. 物理学报, 2009, 58(5): 3474-3478. doi: 10.7498/aps.58.3474
[19]	许光明, 崔建忠, 訾炳涛, 姚可夫. 脉冲磁场下金属熔体凝固流场的数值模拟. 物理学报, 2003, 52(1): 115-119. doi: 10.7498/aps.52.115
[20]	袁行球, 陈重阳, 李辉, 赵太泽, 郭文康, 须平. 电子束离子阱中高价态离子演化过程的数值模拟. 物理学报, 2003, 52(8): 1906-1910. doi: 10.7498/aps.52.1906

引用本文:

Citation:

计量

文章访问数: 2400
PDF下载量: 1029
被引次数: 0

外磁场对介质表面次级电子倍增效应的影响

1. 西北核技术研究所, 西安 710024;

2. 西安交通大学电子与信息工程学院, 西安 710049

通信作者: , clb@mail.ustc.edu.cn

基金项目:

国家高技术研究发展计划(863)资助的课题.

收稿日期: 2011-03-21

修回日期: 2012-04-05

刊出日期: 2012-04-05

摘要: 本文采用Particle-in-cell数值方法模拟研究了不同强度外磁场条件下的次级电子倍增效应过程,分析了外磁场对次级电子倍增效应的影响.结果表明,当外磁场达到一定强度时,次级电子倍增效应在微波传输的一半时间内被抑制.通过外磁场抑制,在理想条件下可以使介质窗的微波传输功率容量提高4倍以上.

关键词:

全文HTML

参考文献 (11)

搜索

留言板