搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

基于ZnS增透膜的顶发射白光有机发光二极管

陈淑芬 邵茗 郭旭 钱妍 石乃恩 解令海 杨洋 黄维

基于ZnS增透膜的顶发射白光有机发光二极管

陈淑芬, 邵茗, 郭旭, 钱妍, 石乃恩, 解令海, 杨洋, 黄维
PDF
导出引用
  • 顶发射白光有机发光二极管(TEWOLED)在白光照明和全彩显示中有着良好的应用前景, 克服顶发射器件中的微腔效应是制备光电性能良好的TEWOLED的前提. 使用具有高折射率的ZnS作为增透膜改善金属阴极在蓝光波段的透射率,降低其反射性, 从而有效抑制了微腔的影响.同时利用转移矩阵理论和宽角干涉方法分别对阴极结构和 蓝光发光层位置进行了优化,最终获得了高效、色纯度良好、色度随视角变化小的TEWOLED. 最高亮度和效率分别达到9213 cd/m2和3 cd/A,色坐标位于白光区且接近白光等能点, 同时具有良好的视角稳定性,在060范围内色坐标仅变化(0.02, 0).
    • 基金项目: 国家重点基础研究发展计划(批准号: 2009CB930600)、 国家自然科学基金(批准号: 60907047, 60977024, 21101095, 20974046, 21003076, 51173081, 61136003)、 高等学校博士学科点专项科研基金(批准号: 20093223120003)、 江苏省自然科学基金(批准号: BK2009423)、江苏省高等学校自然科学基金(批准号: SJ209003, 09KJB150009, 10KJB510013, TJ209035)、江苏省青蓝工程 和南京邮电大学攀登计划(批准号: NY210015)资助的课题.
    [1]

    Tang C W, Van Slyke S A 1987 Appl. Phys. Lett. 51 913

    [2]

    Burroughes J H 1990 Nature 347 539

    [3]

    Gustufsson G, Cao Y, Treacy G M, Klavetter F, Colaneri N, Heeger A J 1992 Nature 357 447

    [4]

    Cao Y, Treacy G M, Smith P, Heeger A J 1992 Appl. Phys. Lett. 60 2711

    [5]

    Gu G, Shen Z, Burrows P E, Forrest S R 1997 Adv. Mater. 9 725

    [6]

    Yang Y, Chen S F, Xie J, Chen C Y, Shao M, Guo X, Huang W 2011 Acta Phys. Sin. 60 047809 (in Chinese) [杨洋, 陈淑芬, 谢军, 陈春燕, 邵茗, 郭旭, 黄维 2011 物理学报 60 047809]

    [7]

    Xu X M, Peng J C, Li H J, Qu S, Zhao C J, Luo X H 2004 Acta Phys. Sin. 53 286 (in Chinese) [许雪梅, 彭景翠, 李宏建, 瞿述, 赵楚军, 罗小华 2004 物理学报 53 286]

    [8]

    Kido J, Shionoya H, Nagai K 1995 Appl. Phys. Lett. 67 2281

    [9]

    Feng J, Li F, Gao W B, Liu S Y, Liu Y, Wang Y 2001 Appl. Phys. Lett. 78 3947

    [10]

    Chen S F, Wu Z J, Zhao Y, Li C N, Hou J Y, Liu S Y 2005 Org. Electron. 6 111

    [11]

    Dodabalapur A, Rothberg L J, Miller T M 1994 Appl. Phys. Lett. 65 2308

    [12]

    Parthasarathy G, Gu G, Forrest S R 1999 Adv. Mater. 11 907

    [13]

    Riel H, Karg S, Beierlein T, Ruhstaller B, Rie\upbeta W 2003 Appl. Phys. Lett. 82 466

    [14]

    Dobbertin T, Kroeger M, Heithecker D, Schneider D, Metzdorf D, Neuner H, Becker E, Johannes H H, Kowalsky W 2003 Appl. Phys. Lett. 82 284

    [15]

    Chen S F, Deng L L, Xie J, Peng L, Xie L H, Fan Q L, Huang W 2010 Adv. Mater. 22 5227

    [16]

    Kanno H, Sun Y R, Forrest S R 2005 Appl. Phys. Lett. 86 263502

    [17]

    Hsu S F, Lee C C, Hwang S W, Chen C H 2005 Appl. Phys. Lett. 86 253508

    [18]

    Zhu X L, Sun J X, Yu X M, Wong M, Kwok H S 2007 Jpn. J. Appl. Phys. 46 4054

    [19]

    Lee M T, Tseng M R 2008 Curr. Appl. Phys. 8 616

    [20]

    Kim M S, Jeon C H, Lim J T, Yeom G Y 2008 Thin Solid Films 11 3590

    [21]

    Ji W Y, Zhang L T, Gao R X, Zhang L M, Xie W F, Zhang H Z, Li B 2008 Opt. Express 16 15489

    [22]

    Thomschke M, Nitsche R, Furno M, Leo K 2009 Appl. Phys. Lett. 94 083303

    [23]

    Ji W Y, Zhang L T, Zhang T Y, Xie W F, Zhang H Z 2010 Org. Electron. 11 202

    [24]

    Xie G H, Zhang Z S, Xue Q, Zhang S M, Zhao L, Luo Y, Chen P, Quan B F, Zhao Y, Liu S Y 2010 Org. Electron. 11 2055

    [25]

    Chen S M, Kwok H S 2011 Org. Electron. 12 677

    [26]

    Ji W Y, Zhao J L, Sun Z C, Xie W F 2011 Org. Electron. 12 1137

    [27]

    Ma J, Piao X C, Liu J, Zhang L T, Zhang T Y, Liu M, Li T, Xie W F, Cui H N 2011 Org. Electron. 12 923

    [28]

    Chen S F, Xie W F, Meng Y L, Chen P, Zhao Y, Liu S Y 2008 J. Appl. Phys. 103 054506

    [29]

    Sun Y, Noel C, Hiroshi K, Biwu M, Thompson M E, Forrest S R 2006 Nature 440 908

    [30]

    Xie J, Chen C Y, Chen S F, Yang Y, Shao M, Guo X, Fan Q L, Huang W 2011 Org. Electron. 12 322

  • [1]

    Tang C W, Van Slyke S A 1987 Appl. Phys. Lett. 51 913

    [2]

    Burroughes J H 1990 Nature 347 539

    [3]

    Gustufsson G, Cao Y, Treacy G M, Klavetter F, Colaneri N, Heeger A J 1992 Nature 357 447

    [4]

    Cao Y, Treacy G M, Smith P, Heeger A J 1992 Appl. Phys. Lett. 60 2711

    [5]

    Gu G, Shen Z, Burrows P E, Forrest S R 1997 Adv. Mater. 9 725

    [6]

    Yang Y, Chen S F, Xie J, Chen C Y, Shao M, Guo X, Huang W 2011 Acta Phys. Sin. 60 047809 (in Chinese) [杨洋, 陈淑芬, 谢军, 陈春燕, 邵茗, 郭旭, 黄维 2011 物理学报 60 047809]

    [7]

    Xu X M, Peng J C, Li H J, Qu S, Zhao C J, Luo X H 2004 Acta Phys. Sin. 53 286 (in Chinese) [许雪梅, 彭景翠, 李宏建, 瞿述, 赵楚军, 罗小华 2004 物理学报 53 286]

    [8]

    Kido J, Shionoya H, Nagai K 1995 Appl. Phys. Lett. 67 2281

    [9]

    Feng J, Li F, Gao W B, Liu S Y, Liu Y, Wang Y 2001 Appl. Phys. Lett. 78 3947

    [10]

    Chen S F, Wu Z J, Zhao Y, Li C N, Hou J Y, Liu S Y 2005 Org. Electron. 6 111

    [11]

    Dodabalapur A, Rothberg L J, Miller T M 1994 Appl. Phys. Lett. 65 2308

    [12]

    Parthasarathy G, Gu G, Forrest S R 1999 Adv. Mater. 11 907

    [13]

    Riel H, Karg S, Beierlein T, Ruhstaller B, Rie\upbeta W 2003 Appl. Phys. Lett. 82 466

    [14]

    Dobbertin T, Kroeger M, Heithecker D, Schneider D, Metzdorf D, Neuner H, Becker E, Johannes H H, Kowalsky W 2003 Appl. Phys. Lett. 82 284

    [15]

    Chen S F, Deng L L, Xie J, Peng L, Xie L H, Fan Q L, Huang W 2010 Adv. Mater. 22 5227

    [16]

    Kanno H, Sun Y R, Forrest S R 2005 Appl. Phys. Lett. 86 263502

    [17]

    Hsu S F, Lee C C, Hwang S W, Chen C H 2005 Appl. Phys. Lett. 86 253508

    [18]

    Zhu X L, Sun J X, Yu X M, Wong M, Kwok H S 2007 Jpn. J. Appl. Phys. 46 4054

    [19]

    Lee M T, Tseng M R 2008 Curr. Appl. Phys. 8 616

    [20]

    Kim M S, Jeon C H, Lim J T, Yeom G Y 2008 Thin Solid Films 11 3590

    [21]

    Ji W Y, Zhang L T, Gao R X, Zhang L M, Xie W F, Zhang H Z, Li B 2008 Opt. Express 16 15489

    [22]

    Thomschke M, Nitsche R, Furno M, Leo K 2009 Appl. Phys. Lett. 94 083303

    [23]

    Ji W Y, Zhang L T, Zhang T Y, Xie W F, Zhang H Z 2010 Org. Electron. 11 202

    [24]

    Xie G H, Zhang Z S, Xue Q, Zhang S M, Zhao L, Luo Y, Chen P, Quan B F, Zhao Y, Liu S Y 2010 Org. Electron. 11 2055

    [25]

    Chen S M, Kwok H S 2011 Org. Electron. 12 677

    [26]

    Ji W Y, Zhao J L, Sun Z C, Xie W F 2011 Org. Electron. 12 1137

    [27]

    Ma J, Piao X C, Liu J, Zhang L T, Zhang T Y, Liu M, Li T, Xie W F, Cui H N 2011 Org. Electron. 12 923

    [28]

    Chen S F, Xie W F, Meng Y L, Chen P, Zhao Y, Liu S Y 2008 J. Appl. Phys. 103 054506

    [29]

    Sun Y, Noel C, Hiroshi K, Biwu M, Thompson M E, Forrest S R 2006 Nature 440 908

    [30]

    Xie J, Chen C Y, Chen S F, Yang Y, Shao M, Guo X, Fan Q L, Huang W 2011 Org. Electron. 12 322

  • 引用本文:
    Citation:
计量
  • 文章访问数:  3644
  • PDF下载量:  1031
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2011-05-23
  • 修回日期:  2012-04-28
  • 刊出日期:  2012-04-20

基于ZnS增透膜的顶发射白光有机发光二极管

  • 1. 南京邮电大学信息材料与纳米技术研究院, 江苏省有机电子与信息显示重点实验室, 南京 210046
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展计划(批准号: 2009CB930600)、 国家自然科学基金(批准号: 60907047, 60977024, 21101095, 20974046, 21003076, 51173081, 61136003)、 高等学校博士学科点专项科研基金(批准号: 20093223120003)、 江苏省自然科学基金(批准号: BK2009423)、江苏省高等学校自然科学基金(批准号: SJ209003, 09KJB150009, 10KJB510013, TJ209035)、江苏省青蓝工程 和南京邮电大学攀登计划(批准号: NY210015)资助的课题.

摘要: 顶发射白光有机发光二极管(TEWOLED)在白光照明和全彩显示中有着良好的应用前景, 克服顶发射器件中的微腔效应是制备光电性能良好的TEWOLED的前提. 使用具有高折射率的ZnS作为增透膜改善金属阴极在蓝光波段的透射率,降低其反射性, 从而有效抑制了微腔的影响.同时利用转移矩阵理论和宽角干涉方法分别对阴极结构和 蓝光发光层位置进行了优化,最终获得了高效、色纯度良好、色度随视角变化小的TEWOLED. 最高亮度和效率分别达到9213 cd/m2和3 cd/A,色坐标位于白光区且接近白光等能点, 同时具有良好的视角稳定性,在060范围内色坐标仅变化(0.02, 0).

English Abstract

参考文献 (30)

目录

    /

    返回文章
    返回