搜索

文章查询

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

应变Ge/Si1-xGex 价带色散模型

戴显英 杨程 宋建军 张鹤鸣 郝跃 郑若川

应变Ge/Si1-xGex 价带色散模型

戴显英, 杨程, 宋建军, 张鹤鸣, 郝跃, 郑若川
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  1721
  • PDF下载量:  505
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2012-01-11
  • 修回日期:  2012-02-15
  • 刊出日期:  2012-07-05

应变Ge/Si1-xGex 价带色散模型

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室, 西安 710071
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展计划(批准号:61398)资助的课题.

摘要: 基于kp微扰理论, 通过引入应变哈密顿量作为微扰, 建立了双轴应变Ge/Si1-xGex价带色散关系模型. 模型适于任意晶向弛豫Si1-xGex虚衬底上的应变Ge价带结构, 通过该模型可获得任意k方向应变Ge的价带结构和空穴有效质量. 模型的Matlab模拟结果显示, 应变Ge/Si1-xGex价带带边空穴有效质量随Ge组分的增加而减小, 其各向异性比弛豫Ge更加显著. 本文研究成果对Si基应变Ge MOS器件及集成电路的沟道应力与晶向的设计有参考价值.

English Abstract

参考文献 (14)

目录

    /

    返回文章
    返回