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用光电子能谱研究 Si/GaP(Ⅲ)异质界面的价带不连续性

黄春晖 陈平 王迅

用光电子能谱研究 Si/GaP(Ⅲ)异质界面的价带不连续性

黄春晖, 陈平, 王迅
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出版历程
  • 收稿日期:  1992-12-23
  • 刊出日期:  2005-07-10

用光电子能谱研究 Si/GaP(Ⅲ)异质界面的价带不连续性

  • 1. (1)福州大学物理系,福州350002; (2)复旦大学表面物理国家重点实验室,上海200433
    基金项目: 

    复旦大学表面物理国家重点实验室基金

    福建省科学基金

摘要: 介绍在改装的ADES-400型光电子能谱仪上,用Si电子束蒸发的方法生长Si/GaP(Ⅲ)界面的过程,并用光电子能谱原位地分析测量不同条件下生长的Si/GaP(Ⅲ)异质界面的形成状况和价带不连续值△Ev。讨论了△Ev与界面状况和原子能级变化的相互关系,确定了生长有序的突变Si/GaP(Ⅲ)异质界面的条件,得到此时界面的价带不连续值为0.80eV。它与理论计算值基本一致。

English Abstract

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