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掺碳p型GaAs和InGaAs的金属有机物分子束外延生长

德光永辅 小长井诚 白樫淳一 野崎真次 高桥清 齐鸣 罗晋生

掺碳p型GaAs和InGaAs的金属有机物分子束外延生长

德光永辅, 小长井诚, 白樫淳一, 野崎真次, 高桥清, 齐鸣, 罗晋生
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出版历程
  • 收稿日期:  1993-03-10
  • 刊出日期:  2005-07-10

掺碳p型GaAs和InGaAs的金属有机物分子束外延生长

  • 1. (1)东京工业大学电气电子工学科,东京152,日本; (2)东京工业大学电子物理工学科,东京152,日本; (3)东京工业大学电子物理工学科,东京152,日本;西安交通大学电子工程系西安710049; (4)西安交通大学电子工程系,西安710049

摘要: 较为系统地研究了掺碳p型GaAs和InGaAs的金属有机物分子束外延(MOMBE)生长特性和电学特性。结果表明,衬底温度和分子束强度等生长条件对于样品的生长速率、空穴浓度及In组分含量等具有较大的影响,在InGaAs的生长中这种影响更为强烈。根据对实验结果的分析,可以认为,作为分子束源之一的TMGGa(CH3)3,trimethylgallium,三甲基镓的分解状态与生长条件的相关性,是引起生长速率和空穴浓度等变化的主要因素。

English Abstract

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