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半导体异质结(111)面的界面偶极子及其对能带偏移的影响

陆栋 谢剑钧 张涛

半导体异质结(111)面的界面偶极子及其对能带偏移的影响

陆栋, 谢剑钧, 张涛
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出版历程
  • 收稿日期:  1992-05-18
  • 刊出日期:  2005-07-10

半导体异质结(111)面的界面偶极子及其对能带偏移的影响

  • 1. (1)复旦大学物理系,上海200433; (2)河南师范大学物理系,新乡453002

摘要: 本文采用紧束缚的界面键极性模型(interface-bond-polarity-model),计算了匹配的半导体异质结(111)面的界面偶极子,并将计算结果与(110)和(001)面的结果进行了比较,讨论了界面取向和界面成分对偶极子的影响。结果表明,对于两边同是Ⅲ-V族半导体或同是Ⅱ-Ⅵ族半导体的异质结,界面偶极子几乎不依赖于界面的取向和界面的组成,因此,能带偏移也基本上是各向同性的。对于两边由不同类型半导体组成的异质结,如Ⅱ-Ⅵ/Ⅲ-Ⅴ体系、Ⅲ-Ⅴ/Ⅳ和Ⅱ-Ⅵ/Ⅳ体系,混和的阴离子(111)界面给出的偶极子小于零,而混和的阳离子(111)界面给出的偶极子大于零,二者的平均值等于中性的(110)界面的偶极子。

English Abstract

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