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多孔硅层晶格畸变的X射线双晶衍射研究

何贤昶 吴自勤 赵特秀 吕智慧 王晓平 孙国喜

多孔硅层晶格畸变的X射线双晶衍射研究

何贤昶, 吴自勤, 赵特秀, 吕智慧, 王晓平, 孙国喜
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出版历程
  • 收稿日期:  1992-07-22
  • 刊出日期:  2005-07-10

多孔硅层晶格畸变的X射线双晶衍射研究

  • 1. (1)上海交通大学物理化学分析中心,上海200030; (2)中国科学技术大学基础物理中心,合肥230026; (3)中国科学技术大学物理系,合肥230026; (4)中国科学技术大学物理系,合肥230026;中国科学院半导体研究所,北京100083

摘要: 利用X射线双晶衍射方法,对从同一Si(111)基片上切割的两块样品,在不同电解电流密度下,腐蚀形成的多孔硅层相对于基体硅的晶格畸变进行了分析。这两块样品晶格的畸变明显不同。其中电流密度较小的样品畸变较大,其多孔硅层对于基体硅在垂直和平行于晶体表面的方向上,晶格有不同程度的膨胀,搁置一段时间后,两者晶格渐渐匹配,但存在着弯曲。两者的(111)晶面取向亦有偏差。电流密度较大时多孔硅层较厚,其双晶反射强度很低,且弥散地迭加在基体硅反射峰上。

English Abstract

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