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金属有机化学气相沉积法生长条件对AlN薄膜面内晶粒尺寸的影响

吴亮亮 赵德刚 李亮 乐伶聪 陈平 刘宗顺 江德生

金属有机化学气相沉积法生长条件对AlN薄膜面内晶粒尺寸的影响

吴亮亮, 赵德刚, 李亮, 乐伶聪, 陈平, 刘宗顺, 江德生
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出版历程
  • 收稿日期:  2012-11-16
  • 修回日期:  2012-12-19
  • 刊出日期:  2013-04-05

金属有机化学气相沉积法生长条件对AlN薄膜面内晶粒尺寸的影响

  • 1. 中国科学院半导体研究所, 集成光电子学国家重点实验室, 北京 100083
    基金项目: 

    国家杰出青年科学基金(批准号:60925017)、 国家自然科学基金(批准号:10990100, 60836003, 60976045, 61176126) 和清华信息科学与技术国家实验室(筹)学科交叉基金资助的课题.

摘要: 研究了金属有机化学气相沉积设备生长条件对AlN 薄膜质量的影响. 应用Williamson-Hall方法测试并分析了不同氮化时间、AlN缓冲层生长时间、 载气流量生长参数对AlN薄膜的面内晶粒尺寸的影响. 实验结果表明, 随着氮化时间减小, 缓冲层生长时间增加, 载气流量减少, AlN薄膜的侧向生长和岛的合并能力增强, 面内晶粒尺寸增大, 从而晶体质量也变好.

English Abstract

参考文献 (12)

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