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钽掺杂二氧化钛薄膜的光电性能研究

薛将 潘风明 裴煜

钽掺杂二氧化钛薄膜的光电性能研究

薛将, 潘风明, 裴煜
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  • 采用脉冲激光沉积法 (PLD), 以石英玻璃为衬底制备了钽掺杂TiO2薄膜并研究了薄膜样品的光电性质. 沉积氧气分气压从0.3 Pa变化到0.7 Pa时薄膜样品的帯隙变化范围是3.26 eV到3.49 eV. 通过测量电阻率随温度的变化关系确定了薄膜内部的主要导电机理. 在150 K到210 K温度范围内, 热激发导电机理是主要的导电机理; 而在10 K到150 K范围内; 电导率随温度的变化复合Mott的多级变程跳跃模型 (VRH); 在210 K到300 K范围内, 电阻率和exp(b/T)1/2呈正比关系.
    • 基金项目: 国家自然科学基金 (批准号:51032002) 和国家高技术研究发展计划项目 (批准号:2011AA050526) 资助的课题.
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    Yamada N, Hitosugi T, Hoang N L H, Furubayashi Y, Hirose Y, Konuma S, Shimada T, Hasegawa T 2008 Thin Solid Films 516 5754

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出版历程
  • 收稿日期:  2013-03-14
  • 修回日期:  2013-04-14
  • 刊出日期:  2013-08-05

钽掺杂二氧化钛薄膜的光电性能研究

  • 1. 南京航空航天大学应用物理系, 南京 211100
    基金项目: 

    国家自然科学基金 (批准号:51032002) 和国家高技术研究发展计划项目 (批准号:2011AA050526) 资助的课题.

摘要: 采用脉冲激光沉积法 (PLD), 以石英玻璃为衬底制备了钽掺杂TiO2薄膜并研究了薄膜样品的光电性质. 沉积氧气分气压从0.3 Pa变化到0.7 Pa时薄膜样品的帯隙变化范围是3.26 eV到3.49 eV. 通过测量电阻率随温度的变化关系确定了薄膜内部的主要导电机理. 在150 K到210 K温度范围内, 热激发导电机理是主要的导电机理; 而在10 K到150 K范围内; 电导率随温度的变化复合Mott的多级变程跳跃模型 (VRH); 在210 K到300 K范围内, 电阻率和exp(b/T)1/2呈正比关系.

English Abstract

参考文献 (33)

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