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												doi: 10.7498/aps.70.20211441 | 
							
									| [2] | 滑亚文, 刘以良, 万明杰. SeH+离子低激发态的电子结构和跃迁性质的理论研究. 物理学报,
												2020, 69(15): 153101.
												
												doi: 10.7498/aps.69.20200278 | 
							
									| [3] | 邢伟, 刘慧, 施德恒, 孙金锋, 朱遵略, 吕淑霞. 一氟化碳电子态的光谱性质和预解离机理的理论研究. 物理学报,
												2015, 64(15): 153101.
												
												doi: 10.7498/aps.64.153101 | 
							
									| [4] | 刘天庆, 孙玮, 李香琴, 孙相彧, 艾宏儒. 纳米结构表面上部分润湿液滴合并诱导弹跳的理论研究. 物理学报,
												2014, 63(8): 086801.
												
												doi: 10.7498/aps.63.086801 | 
							
									| [5] | 黄耀清, 郝成红, 郑继明, 任兆玉. 硅团簇自旋电子器件的理论研究. 物理学报,
												2013, 62(8): 083601.
												
												doi: 10.7498/aps.62.083601 | 
							
									| [6] | 冯胜奇, 方海, 邱庆春. 在群论框架下电子三重态与声子耦合的理论研究. 物理学报,
												2011, 60(1): 017105.
												
												doi: 10.7498/aps.60.017105 | 
							
									| [7] | 赵佩, 郑继明, 陈有为, 郭平, 任兆玉. 单壁碳纳米管吸附氧分子的电子输运性质理论研究. 物理学报,
												2011, 60(6): 068501.
												
												doi: 10.7498/aps.60.068501 | 
							
									| [8] | 马宁, 王美山, 杨传路, 熊德林, 李小虎, 马晓光. 激光场强度对NO电子态粒子数布居影响的理论研究. 物理学报,
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												doi: 10.7498/aps.59.215 | 
							
									| [9] | 刘贵立, 杨忠华, 方戈亮. 镁/镀镍碳纳米管界面特性电子理论研究. 物理学报,
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												doi: 10.7498/aps.58.3364 | 
							
									| [10] | 颉录有, 张志远, 董晨钟, 蒋  军. 高离化态类镍离子电子碰撞激发过程的相对论扭曲波理论研究. 物理学报,
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												doi: 10.7498/aps.57.6249 | 
							
									| [11] | 师应龙, 董晨钟, 张登红, 符彦飙. 高离化态Hg和U离子的双电子复合过程的理论研究. 物理学报,
												2008, 57(1): 88-95.
												
												doi: 10.7498/aps.57.88 | 
							
									| [12] | 张国英, 张  辉, 魏  丹, 何君琦. 碳纳米管增强铝基复合材料电子理论研究. 物理学报,
												2007, 56(3): 1581-1584.
												
												doi: 10.7498/aps.56.1581 | 
							
									| [13] | 董晨钟, 符彦飙. 高离化态Cu18+离子的双电子复合及共振转移激发过程的理论研究. 物理学报,
												2006, 55(1): 107-111.
												
												doi: 10.7498/aps.55.107 | 
							
									| [14] | 李新贝, 张方辉, 王秀峰. 表面传导电子发射显示器件电场分布的理论研究. 物理学报,
												2006, 55(11): 6141-6146.
												
												doi: 10.7498/aps.55.6141 | 
							
									| [15] | 肖奇, 邱冠周, 胡岳华, 王淀佐. FeS2(100)表面原子几何与电子结构的理论研究. 物理学报,
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												doi: 10.7498/aps.51.2133 | 
							
									| [16] | 王松有, 贾  瑜, 石寿珠, 马丙现, 陈良尧. Sb吸附在InP(110)表面电子性质的理论研究. 物理学报,
												1999, 48(7): 1334-1339.
												
												doi: 10.7498/aps.48.1334 | 
							
									| [17] | 王松有, 贾  瑜, 郑卫民, 马丙现, 钱栋梁, 郑玉祥, 陈良尧. As吸附在InP(110)表面电子性质的理论研究. 物理学报,
												1998, 47(10): 1695-1703.
												
												doi: 10.7498/aps.47.1695 | 
							
									| [18] | 资剑, 张开明. 多孔硅尺寸的理论研究. 物理学报,
												1997, 46(2): 340-344.
												
												doi: 10.7498/aps.46.340 | 
							
									| [19] | 刘磊, 仝晓民, 李家明. C60分子电子激发态结构的理论研究. 物理学报,
												1996, 45(5): 760-768.
												
												doi: 10.7498/aps.45.760 | 
							
									| [20] | 梅良模, 张瑞勤, 关大任, 蔡政亭. 清洁Si(111)表面电子结构的理论研究. 物理学报,
												1989, 38(10): 1578-1584.
												
												doi: 10.7498/aps.38.1578 |