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纳米硅集团表面电子态的理论研究

叶令

纳米硅集团表面电子态的理论研究

叶令
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出版历程
  • 收稿日期:  1995-05-11
  • 刊出日期:  1996-11-20

纳米硅集团表面电子态的理论研究

  • 1. 复旦大学物理系

摘要: 研究—H,—O或—OH基吸附于表面的纳米硅集团电子结构的变化情况.选取了几种可能的吸附构型,用定域密度泛函(LDF)-集团模型数值自洽求解方法的第一性原理计算,求得优化的吸附位置、相应的电子结构,并分析了有关的光学性质.在全氢饱和的情况下,能隙比硅体的宽,呈明显的量子尺寸效应;部分—H被—O原子取代后,在禁带中出现一些“尾态”,这些态部分被占有;若以—OH基取代—O,则相应的空尾态被占有,但带隙变化不大.—O和—OH吸附时均不呈现明显的量子尺寸效应

English Abstract

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