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p型GexSi1-x/Si多量子阱的红外吸收及其分析

朱海军 龚大卫 盛篪 王迅 俞敏峰 沈文忠 杨宇

p型GexSi1-x/Si多量子阱的红外吸收及其分析

朱海军, 龚大卫, 盛篪, 王迅, 俞敏峰, 沈文忠, 杨宇
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出版历程
  • 收稿日期:  1996-05-30
  • 刊出日期:  1997-04-20

p型GexSi1-x/Si多量子阱的红外吸收及其分析

  • 1. (1)复旦大学表面物理国家重点实验室; (2)复旦大学应用表面物理国家重点实验室; (3)中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室; (4)中国科学院上海冶金研究所
    基金项目: 

    国家自然科学基金资助的课题.

摘要: 通过测量GeSi多量子阱的红外谱,同时观察到了相应于量子阱内重空穴基态HH1到重空穴激发态HH1、轻空穴激发态LH1和自旋分裂带SO及连续态间的跃迁吸收.测量了GeSi多量子阱探测器的正入射光电流谱,看到了明显的光响应峰.理论计算中计及了轻、重和自旋分裂带间的耦合及能带的非抛物性,并自洽考虑了哈特里势和交换相关势.与实验结果比较,认为带之间的耦合,使子带间的跃迁情况变得复杂,是正入射吸收产生的原因

English Abstract

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