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												doi: 10.7498/aps.56.1082 | 
							
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												doi: 10.7498/aps.55.254 | 
							
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												doi: 10.7498/aps.55.4247 | 
							
									| [6] | 邵嘉平, 胡  卉, 郭文平, 汪  莱, 罗  毅, 孙长征, 郝智彪. 高In组分InxGa1-xN/GaN多量子阱材料电致荧光谱的研究. 物理学报,
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												doi: 10.7498/aps.48.1682 | 
							
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									| [11] | 杨宇, 卢学坤, 黄大鸣, 蒋最敏, 杨敏, 章怡, 龚大卫, 陈祥君, 胡际璜, 张翔九, 赵国庆. Si1-xCex/Si量子阱发光材料制备及特性研究. 物理学报,
												1995, 44(6): 995-1002.
												
												doi: 10.7498/aps.44.995 | 
							
									| [12] | 徐至中. 生长在GexSi1-x合金衬底(001)面上的应变GaAs层的电子能带结构. 物理学报,
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												doi: 10.7498/aps.42.1707 | 
							
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												doi: 10.7498/aps.42.1121-2 | 
							
									| [17] | 田亮光, 朱南昌, 陈京一, 李润身, 许顺生, 周国良. 高完整GexSi1-x/Si应变超晶格的X射线双晶衍射研究. 物理学报,
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												doi: 10.7498/aps.40.1514 | 
							
									| [19] | 周国良, 沈孝良, 盛篪, 蒋维栋, 俞鸣人. GexSi1-x/Si超晶格的X射线小角衍射分析. 物理学报,
												1991, 40(1): 56-63.
												
												doi: 10.7498/aps.40.56 | 
							
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												1990, 39(12): 1893-1899.
												
												doi: 10.7498/aps.39.1893 |