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Ti掺杂NbSe2电子结构的第一性原理研究

徐晶 梁家青 李红萍 李长生 刘孝娟 孟健

Ti掺杂NbSe2电子结构的第一性原理研究

徐晶, 梁家青, 李红萍, 李长生, 刘孝娟, 孟健
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  • 采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法, 计算了理想2H-NbSe2和Ti掺杂2H-NbSe2晶体的几何结构及电子结构; 对掺杂前后超胞的能带图、态密度及分波态密度图进行了分析. 结果表明, 掺杂后费米能级附近能量区域的电子态密度出现了较高的峰值, 且费米能级位置发生了改变. 理论上可以认为Ti的掺杂会使得NbSe2的导电性增强, 有利于开发新型的电接触复合材料.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号: 51302112)、江苏省高校自然科学项目(批准号: 14KJB430009) 和江苏省研究生培养创新工程(批准号: CXZZ130669)资助的课题.
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    Sun J, Wang H T, He J 2005 Phys. Rev. B 71 125132

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出版历程
  • 收稿日期:  2015-05-05
  • 修回日期:  2015-06-08
  • 刊出日期:  2015-10-05

Ti掺杂NbSe2电子结构的第一性原理研究

  • 1. 江苏大学材料学院, 镇江 212013;
  • 2. 中国科学院长春应用化学研究所, 吉林 130023
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 51302112)、江苏省高校自然科学项目(批准号: 14KJB430009) 和江苏省研究生培养创新工程(批准号: CXZZ130669)资助的课题.

摘要: 采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法, 计算了理想2H-NbSe2和Ti掺杂2H-NbSe2晶体的几何结构及电子结构; 对掺杂前后超胞的能带图、态密度及分波态密度图进行了分析. 结果表明, 掺杂后费米能级附近能量区域的电子态密度出现了较高的峰值, 且费米能级位置发生了改变. 理论上可以认为Ti的掺杂会使得NbSe2的导电性增强, 有利于开发新型的电接触复合材料.

English Abstract

参考文献 (20)

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