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金属规则表面形貌影响二次电子产额的解析模型

张娜 曹猛 崔万照 胡天存 王瑞 李韵

金属规则表面形貌影响二次电子产额的解析模型

张娜, 曹猛, 崔万照, 胡天存, 王瑞, 李韵
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  • 表面形貌是影响二次电子发射特性的重要因素, 但目前仍缺乏刻画这一影响规律的解析模型. 本文通过分析发现表面结构的遮挡作用是影响二次电子发射特性的主要因素. 基于二次电子以余弦角分布出射的规律, 提出了建立表面形貌参数与二次电子产额之间定量关系的方法, 并以矩形槽和三角槽为例, 建立了电子正入射和斜入射时的一代二次电子产额的解析模型. 将推导的解析模型与Monte Carlo模拟结果和实验结果进行了比较, 结果表明本文建立的模型能够正确反映规则表面形貌的二次电子产额. 本文的模型对于反映常用规则结构影响二次电子出射的规律以及指导通过表面结构调控二次电子发射特性都具有参考价值.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号: 11375139, 11175140)和空间微波技术重点实验室基金(批准号: 9140C530101130C53013)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2015-05-19
  • 修回日期:  2015-06-19
  • 刊出日期:  2015-10-05

金属规则表面形貌影响二次电子产额的解析模型

  • 1. 西安交通大学电子与信息工程学院, 电子物理与器件教育部重点实验室, 西安 710049;
  • 2. 中国空间技术研究院西安分院, 空间微波技术重点实验室, 西安 710100
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 11375139, 11175140)和空间微波技术重点实验室基金(批准号: 9140C530101130C53013)资助的课题.

摘要: 表面形貌是影响二次电子发射特性的重要因素, 但目前仍缺乏刻画这一影响规律的解析模型. 本文通过分析发现表面结构的遮挡作用是影响二次电子发射特性的主要因素. 基于二次电子以余弦角分布出射的规律, 提出了建立表面形貌参数与二次电子产额之间定量关系的方法, 并以矩形槽和三角槽为例, 建立了电子正入射和斜入射时的一代二次电子产额的解析模型. 将推导的解析模型与Monte Carlo模拟结果和实验结果进行了比较, 结果表明本文建立的模型能够正确反映规则表面形貌的二次电子产额. 本文的模型对于反映常用规则结构影响二次电子出射的规律以及指导通过表面结构调控二次电子发射特性都具有参考价值.

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