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AlGaN/GaN双异质结F注入增强型高电子迁移率晶体管

王冲 赵梦荻 裴九清 何云龙 李祥东 郑雪峰 毛维 马晓华 张进成 郝跃

AlGaN/GaN双异质结F注入增强型高电子迁移率晶体管

王冲, 赵梦荻, 裴九清, 何云龙, 李祥东, 郑雪峰, 毛维, 马晓华, 张进成, 郝跃
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出版历程
  • 收稿日期:  2015-08-10
  • 修回日期:  2015-11-20
  • 刊出日期:  2016-02-05

AlGaN/GaN双异质结F注入增强型高电子迁移率晶体管

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件重点实验室, 西安 710071
  • 通信作者: 王冲, wangchong197810@hotmail.com
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 61574110, 61574112, 61106106)资助的课题.

摘要: 理论模拟了不同GaN沟道厚度的双异质结(AlGaN/GaN/AlGaN/GaN)材料对高电子迁移率晶体管(HEMT)特性的影响, 并模拟了不同F注入剂量下用该材料制作的增强型器件的特性差异. 采用双异质结材料, 结合F注入工艺成功地研制出了较高正向阈值电压的增强型HEMT器件. 实验研究了三种GaN沟道厚度制作的增强型器件直流特性的差异, 与模拟结果进行了对比验证. 采用降低的F 注入等离子体功率, 减小了等离子体处理工艺对器件沟道迁移率的损伤, 研制出的器件未经高温退火即实现了较高的跨导和饱和电流特性. 对14 nm GaN沟道厚度的器件进行了阈值电压温度稳定性和栅泄漏电流的比较研究, 并且分析了双异质结器件的漏致势垒降低效应.

English Abstract

参考文献 (14)

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