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铜基底上双层至多层石墨烯常压化学气相沉积法制备与机理探讨

李浩 付志兵 王红斌 易勇 黄维 张继成

铜基底上双层至多层石墨烯常压化学气相沉积法制备与机理探讨

李浩, 付志兵, 王红斌, 易勇, 黄维, 张继成
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出版历程
  • 收稿日期:  2016-09-03
  • 修回日期:  2016-11-10
  • 刊出日期:  2017-03-05

铜基底上双层至多层石墨烯常压化学气相沉积法制备与机理探讨

  • 1. 西南科技大学, 无机非金属材料国家重点实验室, 绵阳 621900;
  • 2. 中国工程物理研究院激光聚变研究中心, 绵阳 621900
  • 通信作者: 张继成, zhangjccaep@126.com
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:11404304)、国家重大科学仪器设备开发专项(批准号:2014YQ090709)和中国工程物理研究院科学技术发展基金(批准号:2015B0302003)资助的课题.

摘要: 化学气相沉积是目前最重要的一种制备高质量、大面积石墨烯的方法.而铜是化学气相沉积法制备石墨烯中最常用的生长基底.虽然有大量文章报道了关于石墨烯的生长条件及生长机理,但是作为最广泛采用的材料,铜基底上双层及多层石墨烯的生长机理仍然在探索中.本文采用常压化学气相沉积法,以乙醇为碳源在铜基底上生长石墨烯,并将其转移到SiO2/Si基底上.用场发射扫描电镜、透射电镜、拉曼光谱、光学显微镜对所制备的石墨烯进行表征和层数分析,对转移到不同基底上的不同层数的石墨烯进行了透光性分析.结果表明,常压条件下铜箔表面能够生长出质量较高、连续性较好的双层至多层石墨烯.此外,我们还对铜基底上双层至多层石墨烯的生长机理进行了探讨.

English Abstract

参考文献 (21)

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