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高分辨紫外电子轰击互补金属氧化物半导体器件的实验研究

刘虎林 王兴 田进寿 赛小锋 韦永林 温文龙 王俊锋 徐向晏 王超 卢裕 何凯 陈萍 辛丽伟

高分辨紫外电子轰击互补金属氧化物半导体器件的实验研究

刘虎林, 王兴, 田进寿, 赛小锋, 韦永林, 温文龙, 王俊锋, 徐向晏, 王超, 卢裕, 何凯, 陈萍, 辛丽伟
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出版历程
  • 收稿日期:  2017-07-27
  • 修回日期:  2017-08-30
  • 刊出日期:  2018-01-05

高分辨紫外电子轰击互补金属氧化物半导体器件的实验研究

  • 1. 中国科学院西安光学精密机械研究所, 中国科学院超快诊断技术重点实验室, 西安 710119
  • 通信作者: 王兴, wangxing@opt.ac.cn
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:11304374)和中国科学院创新基金(批准号:CXJJ-16S015)资助的课题.

摘要: 基于真空紫外光电阴极和背照式互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器研制了紫外光响应的电子轰击CMOS(EBCMOS)器件,实现了EBCMOS器件在40 mlx光照度环境下的高分辨探测,电子图像灰度随电子能量的变化呈现出极好的线性关系.对器件成像分辨率测试的结果表明,在电场强度为5000 V/mm时,器件的空间分辨率可以达到25 lp/mm,与国际相关报道水平相当.研制的EBCMOS器件可直接在紫外弱光探测领域应用,如天文观察、高能物理、遥感测绘等,同时也可为下一步研制可见光和近红外敏感的EBCMOS器件提供参考.

English Abstract

参考文献 (20)

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