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GaN载流子浓度和迁移率的光谱研究

G.Li S.J.Chua 李志锋 陆 卫 叶红娟 袁先璋 沈学础

GaN载流子浓度和迁移率的光谱研究

G.Li, S.J.Chua, 李志锋, 陆 卫, 叶红娟, 袁先璋, 沈学础
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出版历程
  • 收稿日期:  1999-12-09
  • 修回日期:  2000-01-23
  • 刊出日期:  2000-04-05

GaN载流子浓度和迁移率的光谱研究

  • 1. (1)Institute of Materials Research and Engineering,National University of Singapore,10 Kent Ridge Crescent,Singapore 119260; (2)中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海 200083

摘要: 用红外反射光谱的方法对生长在蓝宝石衬底上的α-GaN外延薄膜的载流子浓度和迁移率进行了研究.通过测量蓝宝石衬底和不同Si掺杂浓度的一系列GaN外延膜的远红外反射谱并进行理论计算和拟合,得到GaN中的声子振动参量和等离子振荡的频率及阻尼常量,并由此计算得到其载流子浓度和迁移率.计算结果,红外方法得到的载流子浓度与Hall测量相一致,但迁移率比Hall迁移率要低约二分之一.同时红外谱与喇曼谱上明显观察到LO声子与等离子体激元耦合模,(LPP)随掺杂浓度的变化.

English Abstract

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