搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

In掺杂h-LuFeO3光吸收及极化性能的第一性原理计算

张小娅 宋佳讯 王鑫豪 王金斌 钟向丽

In掺杂h-LuFeO3光吸收及极化性能的第一性原理计算

张小娅, 宋佳讯, 王鑫豪, 王金斌, 钟向丽, 等
PDF
导出引用
计量
  • 文章访问数:  132
  • PDF下载量:  4
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2020-08-08

In掺杂h-LuFeO3光吸收及极化性能的第一性原理计算

  • 1. 湘潭大学材料科学与工程学院
  • 2. 湘潭大学材料与光电物理学院
  • 3. 湘潭大学

摘要: h-LuFeO3是一种窄带隙铁电半导体材料,已被证明在铁电光伏领域有较好的应用前景。然而,较低的极化强度使光生电子-空穴对复合率大,限制了h-LuFeO3基铁电光伏电池效率的提高。为改善h-LuFeO3的极化强度,提高光吸收性质,本工作利用第一性原理计算方法研究了In原子在h-LuFeO3不同位置的掺杂形成能,得到最稳定的掺杂位置,比较了h-Lu1-xInxFeO3 (x=0,0.167,0.333,0.667)的带隙、光吸收性能及极化强度等性质。计算结果表明,随着In掺杂比例的增加,h-LuFeO3的晶格常数c/a比不断增大,铁电极化强度得到提高。当In:Lu=2:1时,材料杂质能级出现以及Fe-O轨道杂化得到增强,提高了h-LuFeO3的光吸收性能。此工作证明了In掺杂是改善h-LuFeO3极化强度和光吸收系数的有效方法,对铁电光伏性能的提高提供一种新途径。

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回