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应力导致的薄栅氧化层漏电流瞬态特性研究

刘红侠 郝跃

应力导致的薄栅氧化层漏电流瞬态特性研究

刘红侠, 郝跃
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出版历程
  • 收稿日期:  2001-03-27
  • 修回日期:  2001-04-29
  • 刊出日期:  2001-09-20

应力导致的薄栅氧化层漏电流瞬态特性研究

  • 1. 西安电子科技大学微电子研究所,西安710071
    基金项目: 

    国家高技术研究发展计划(批准号:863SOCY36-1)资助的课题.

摘要: 分别研究了FN隧穿应力和热空穴(HH)应力导致的薄栅氧化层漏电流瞬态特性.在这两种应力条件下,应力导致的漏电流(SILC)与时间的关系均服从幂函数关系,但是二者的幂指数不同.热空穴应力导致的漏电流中,幂指数明显偏离-1,热空穴应力导致的漏电流具有更加显著的瞬态特性.研究结果表明:热空穴SILC机制是由于氧化层空穴的退陷阱效应和正电荷辅助遂穿中心的湮没.利用热电子注入技术,正电荷辅助隧穿电流可被大大地减弱.

English Abstract

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