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高指数稳定硅表面的低能电子衍射图分析

姜金龙 李文杰 周 立 赵汝光 杨威生

高指数稳定硅表面的低能电子衍射图分析

姜金龙, 李文杰, 周 立, 赵汝光, 杨威生
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出版历程
  • 收稿日期:  2002-05-13
  • 修回日期:  2002-06-12
  • 刊出日期:  2005-04-03

高指数稳定硅表面的低能电子衍射图分析

  • 1. 北京大学物理系,人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京 100871
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:19634010)资助的课题.

摘要: 报道了在系统搜寻稳定硅表面的过程中对四个稳定高指数表面Si(1,1,11),(1,0,8),(2,1,2)和(15,1,17)的低能电子衍射(LEED)图进行的分析和结果.这些表面经充分退火后都能给出属于各自表面的LEED图,而不是小面化的,说明它们都是稳定的.从它们的LEED斑点强度分布特征不仅可以推断(15,1,17)是主稳定表面,而(1,1,11),(1,0,8)和(2,1,2)则是副稳定表面,还能知道这些副稳定表面的原胞结构特征,甚至许多重要细节.从原胞结构特征来看,这些副稳定表面有可能用作生长周期量子线的模板.

English Abstract

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