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SOIM新结构的制备及其性能的研究

谢欣云 林 青 门传玲 刘卫丽 徐安怀 林成鲁

SOIM新结构的制备及其性能的研究

谢欣云, 林 青, 门传玲, 刘卫丽, 徐安怀, 林成鲁
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出版历程
  • 收稿日期:  2002-04-19
  • 修回日期:  2002-06-02
  • 刊出日期:  2005-04-03

SOIM新结构的制备及其性能的研究

  • 1. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海 200050
    基金项目: 

    国家重点基础研究专项经费(批准号:G20000365)与国家自然科学基金(批准号:69976034)资助的课题.

摘要: 制备在以SiO2为绝缘埋层的SOI材料上的电子器件存在着自加热问题.为减少自加热效应和满足一些特殊器件/电路的要求,利用多孔硅外延转移技术制备出以二氧化硅和氮化硅为多绝缘埋层的SOI新结构.高分辨率透射电镜和扩展电阻测试结果表明得到的SOIM新结构具有很好的结构和电学性能,退火后的氮化硅埋层为非晶结构.

English Abstract

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