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Mg掺杂对AlGaN薄膜特性的影响

王峰祥 郝 跃 冯 倩

Mg掺杂对AlGaN薄膜特性的影响

王峰祥, 郝 跃, 冯 倩
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出版历程
  • 收稿日期:  2003-09-09
  • 修回日期:  2004-01-16
  • 刊出日期:  2004-10-15

Mg掺杂对AlGaN薄膜特性的影响

  • 1. (1)西安电子科技大学技术物理学院,西安 710071; (2)西安电子科技大学技术物理学院,西安 710071;西安电子科技大学微电子研究所,西安 710071
    基金项目: 

    国家重大基础研究项目(973)(批准号:2002CB3119),国防预研项目 (批准号:41308060106)和西安电子科技大学青年科研工作站项目(批准号:03002#) 资助的课题

摘要: 利用高精度x射线衍射和拉曼散射光谱,对MOCVD生长的不同Mg掺杂量的AlGaN薄膜的c轴 晶格常数、摇摆曲线和拉曼频移进行测量发现:当Mg掺杂剂量较小时,E2模式向 低频方向漂移表明张力应力有所增加,但是摇摆曲线和A1(LO)模式半高宽减小表 明薄膜质量有所提高;随着Mg掺杂剂量的增加,E2模式反向漂移表明此时薄膜中 存在压力应力,同时薄膜质量有所下降.最后根据拉曼频移和应力改变进行拟合得出相应的 线性表达式为Δσ=-0298+0562·ΔE.

English Abstract

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