搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

4英寸热氧化硅衬底上磁性隧道结的微制备

王天兴 魏红祥 李飞飞 张爱国 曾中明 詹文山 韩秀峰

4英寸热氧化硅衬底上磁性隧道结的微制备

王天兴, 魏红祥, 李飞飞, 张爱国, 曾中明, 詹文山, 韩秀峰
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  3123
  • PDF下载量:  749
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2004-03-09
  • 修回日期:  2004-03-26
  • 刊出日期:  2004-11-16

4英寸热氧化硅衬底上磁性隧道结的微制备

  • 1. 中国科学院物理研究所与凝聚态物理中心磁学国家重点实验室, 北京 100080
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展规划项目(批准号:2001CB610601)、国家杰出青年基 金(批准号:50325014)和国家自然科学基金(批准号:10274103和50271081)资助的课题 .

摘要: 就如何在4英寸热氧化硅衬底上沉积高质量的磁性隧道结纳米多层薄膜材料和如何利用光刻方法微加工制备均匀性较好的磁性隧道结方面做了初步研究,并对磁性隧 道结的磁电性质及其工作特性进行了初步测量和讨论.利用现有的光刻设备和工艺条 件在4英寸热氧化硅衬底上直接制备出的磁性隧道结,其结电阻与面积的积 矢的绝对误差在10% 以内,隧穿磁电阻的绝对误差在7% 以内,样品的磁性隧道结性质具有较好的均匀性和一致性,可以满足研制磁随机存储器存储单元演示器件的基本要求.

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回