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薄膜外延生长的计算机模拟

马健泰 张佩峰 刘 军 贺德衍 郑小平

薄膜外延生长的计算机模拟

马健泰, 张佩峰, 刘 军, 贺德衍, 郑小平
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出版历程
  • 收稿日期:  2003-10-13
  • 修回日期:  2003-11-09
  • 刊出日期:  2004-08-16

薄膜外延生长的计算机模拟

  • 1. (1)兰州大学化学化工学院,兰州 730000; (2)兰州大学物理科学与技术学院,兰州 730000; (3)兰州交通大学光电技术与智能控制教育部重点实验室,兰州 730070
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10175030)、国家博士后科学基金(批准号:18637)和兰州交通大学“青蓝”人才计划资助的课题.

摘要: 以Cu膜为例,用Monte-Carlo算法模拟了薄膜生长的随机过程,并提出了更加完善的模型.在合理选择原子间相互作用计算方法的基础上,考虑了原子的吸附、在生长表面的迁移及迁移所引起的近邻原子连带效应、从生长表面的脱附等过程.模拟计算了薄膜的早期成核情况以及表面粗糙度和相对密度.结果表明,随着衬底温度的升高或入射率的降低,沉积在衬底上的原子逐步由离散型分布向聚集状态过渡形成一些岛核,并且逐步由二维岛核向三维岛核过渡.在一定的原子入射率下,存在三个优化温度,成核率最高时的最大成核温度Tn、薄膜的表面粗糙度最低

English Abstract

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