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碳化硅基上3UCVD淀积二氧化硅及其C-V性能测试

汤晓燕 张义门 张鹤鸣 张玉明 戴显英 胡辉勇

碳化硅基上3UCVD淀积二氧化硅及其C-V性能测试

汤晓燕, 张义门, 张鹤鸣, 张玉明, 戴显英, 胡辉勇
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出版历程
  • 收稿日期:  2003-07-28
  • 修回日期:  2004-02-06
  • 刊出日期:  2004-09-16

碳化硅基上3UCVD淀积二氧化硅及其C-V性能测试

  • 1. 西安电子科技大学 微电子研究所,西安 710071
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10175048)资助的课题.

摘要: 利用3UCVD技术在p型4H-SiC上制备了栅氧化层,其正的氧化物电荷密度仅有1.6×1011cm-2,这一结果优于传统的热氧化工艺.为检验氧化层质量所做的高频C-V测试采用了正面接地的新的测试结构,克服了常规测试结构的缺点.

English Abstract

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