搜索

文章查询

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

自旋-晶格弛豫

马本堃

自旋-晶格弛豫

马本堃
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  3710
  • PDF下载量:  605
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  1964-10-09
  • 刊出日期:  2005-08-05

自旋-晶格弛豫

  • 1. 北京师范大学

摘要: 本文讨论了工作[3]中决定耦合系统磁化系数的方法,并用来分析自旋-晶格弛豫过程。在弱耦合的情况下,得出了决定磁化系数的耦合方程组,并求出纵向非共振吸收和横向共振吸收线型的表达式。得出的纵向和横向弛豫时间是外加交变场频率的函数,这反映了高频场对弛豫的影响是由于所用密度矩阵方程为非马尔科夫型的直接结果。在远离共振点处,所得的线型公式和德拜型或洛仑兹型差别较大。一般说来,非马尔科夫效应是不能忽略的。在自旋S=1的情况,我们系统地分析了纵向及横向弛豫的基本过程。其中包含与通常讨论的过程相应的项,如单声子过程,Raman过程,Orbach过程等等,但现在都有外加交变场频率ω参与进去。最后讨论了声子的寿命对横向弛豫时间的影响。

English Abstract

参考文献 (1)

目录

    /

    返回文章
    返回