搜索

文章查询

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

正弦式注入下半导体中过剩载流子的相移寿命

王启明

正弦式注入下半导体中过剩载流子的相移寿命

王启明
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  2296
  • PDF下载量:  605
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  1965-07-08
  • 刊出日期:  2005-08-05

正弦式注入下半导体中过剩载流子的相移寿命

摘要: 本文用单能级复合中心模型,分析了半导体中正弦式注入下过剩载流子的相移寿命与复合中心参数的关系,由此得出了相移寿命与稳态寿命和瞬态寿命的异同:(1)相移寿命与注入频率有关,随频率的增高而减小。(2)低频注入下电子空穴相移寿命相同,并等于瞬态寿命。文中同时讨论了低频注入的条件。

English Abstract

参考文献 (1)

目录

    /

    返回文章
    返回