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流体静压力对InSb输运性质的影响

赵有祥 刘世超 俞立志

流体静压力对InSb输运性质的影响

赵有祥, 刘世超, 俞立志
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出版历程
  • 收稿日期:  1965-06-16
  • 刊出日期:  2005-08-05

流体静压力对InSb输运性质的影响

摘要: 在室温和流体静压力达12500公斤/厘米2下,测量了不同掺杂浓度的n型(5×1013—2.3×1018厘米-3和p型(2.6×1014—6.0×1017厘米-3)InSb的霍耳系数和电导率。分析结果发现,霍耳系数公式中散射因子随压力而减小,禁带宽的压力系数不是常数;得出禁带宽、载流子浓度、电子和空穴迁移率与压力的关系,并对压力下的载流子散射机构作了初步讨论。

English Abstract

参考文献 (1)

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