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掺铬半绝缘砷化镓材料的硅离子注入

王渭源 乔墉 林成鲁 罗潮渭 周永泉

掺铬半绝缘砷化镓材料的硅离子注入

王渭源, 乔墉, 林成鲁, 罗潮渭, 周永泉
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出版历程
  • 收稿日期:  1981-04-20
  • 刊出日期:  2005-07-27

掺铬半绝缘砷化镓材料的硅离子注入

  • 1. 中国科学院上海冶金研究所

摘要: 本文研究了半绝缘砷化镓中硅离子的注入,在对衬底材料进行挑选和注意离子源工作物质纯度的基础上,进行了28Si+注入,用无包封法退火,然后对注入层作了电学性质、背散射和光致发光谱测定,结合选择离子注硅的UHF应用的低噪声GaAs双栅MESFET的结果,1GHz下NF0.9dB和Ga10dB,对实验结果进行了讨论。

English Abstract

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