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深能级陷阱对FET的光瞬态特性、等效噪声电流和漏电流升高的影响

王德宁 沈彭年 王渭源

深能级陷阱对FET的光瞬态特性、等效噪声电流和漏电流升高的影响

王德宁, 沈彭年, 王渭源
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出版历程
  • 收稿日期:  1986-10-21
  • 刊出日期:  2005-03-18

深能级陷阱对FET的光瞬态特性、等效噪声电流和漏电流升高的影响

  • 1. 中国科学院上海冶金研究所

摘要: 本文基于位于准费密能级下深受主陷阱和剩余空穴,在平衡(无光照)和非平衡(有光照)条件下单位时间内空穴浓度变化率的微分方程基础上,导出了指数衰减理论方程,可很好地解释深能级对FET光脉冲瞬态特性的影响,指出了深能级是衰减长尾产生的根本原因,并测定了GaAs MESFET、GaAlAs TEGFET Si JFET的光脉冲瞬态特性,验证了理论模型的准确性。探讨了能级深度ET等因素对衰减曲线的影响。测定了上述三类器件的等效噪声电压与频率f之间的关系,应用文献[6]的公式得出了相应的等效噪声

English Abstract

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