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LPCVD a—Si薄膜的缺陷补偿和掺杂

章佩娴 姚杰 彭少麒

LPCVD a—Si薄膜的缺陷补偿和掺杂

章佩娴, 姚杰, 彭少麒
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出版历程
  • 收稿日期:  1986-12-19
  • 刊出日期:  1987-12-20

LPCVD a—Si薄膜的缺陷补偿和掺杂

  • 1. 中山大学物理系

摘要: 本文通过ESR,σD,σPh,SIMS和Eα等测量,对LPCVD方法生长的a-Si材料的掺杂、缺陷补偿和氢化作了研究,发现在这种材料中,虽然不存在可检测得出的氢含量,却仍然能够进行掺杂,特别是在重掺杂区,缺陷得到有效的补偿,EF向带边移动。文中基于Street最近提出的关于a-Si掺杂的新观点,用缺陷补偿和化学配位等观点解释了没有氢情况下的掺杂机理。

English Abstract

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